メモリ統合回路 N25Q128A31EF840E
| テクノロジー: | フラッシュ- |
|---|---|
| 製品カテゴリー:: | メモリIC |
| メモリタイプ:: | 不揮発性 |
| 工場のストック:: | 0 |
| サイクルの時間 - Word,ページを書き:: | 8ms,5ms |
| テクノロジー: | フラッシュ- |
|---|---|
| 製品カテゴリー:: | メモリIC |
| メモリタイプ:: | 不揮発性 |
| 工場のストック:: | 0 |
| サイクルの時間 - Word,ページを書き:: | 8ms,5ms |
| テクノロジー: | FLASH - NAND |
|---|---|
| 製品カテゴリー:: | メモリIC |
| メモリタイプ:: | 不揮発性 |
| 工場のストック:: | 0 |
| サイクルの時間 - Word,ページを書き:: | 50ns |
| テクノロジー: | SDRAM - モバイルLPDDR3 |
|---|---|
| 製品カテゴリー:: | メモリIC |
| メモリタイプ:: | 揮発 |
| 工場のストック:: | 0 |
| サイクルの時間 - Word,ページを書き:: | - |
| テクノロジー: | DRAM |
|---|---|
| 製品カテゴリー:: | メモリIC |
| メモリタイプ:: | 揮発 |
| 工場のストック:: | 0 |
| サイクルの時間 - Word,ページを書き:: | - |
| テクノロジー: | SDRAM - モバイルLPDDR2 |
|---|---|
| 製品カテゴリー:: | メモリIC |
| メモリタイプ:: | 揮発 |
| 工場のストック:: | 0 |
| サイクルの時間 - Word,ページを書き:: | - |
| テクノロジー: | DRAM |
|---|---|
| 製品カテゴリー:: | メモリIC |
| メモリタイプ:: | 揮発 |
| 工場のストック:: | 0 |
| サイクルの時間 - Word,ページを書き:: | - |
| テクノロジー: | SDRAM - モバイルLPDDR2 |
|---|---|
| 製品カテゴリー:: | メモリIC |
| メモリタイプ:: | 揮発 |
| 工場のストック:: | 0 |
| サイクルの時間 - Word,ページを書き:: | - |
| テクノロジー: | DRAM |
|---|---|
| 製品カテゴリー:: | メモリIC |
| メモリタイプ:: | 揮発 |
| 工場のストック:: | 0 |
| サイクルの時間 - Word,ページを書き:: | - |
| テクノロジー: | DRAM |
|---|---|
| 製品カテゴリー:: | メモリIC |
| メモリタイプ:: | 揮発 |
| 工場のストック:: | 0 |
| サイクルの時間 - Word,ページを書き:: | - |
| テクノロジー: | フラッシュ- |
|---|---|
| 製品カテゴリー:: | メモリIC |
| メモリタイプ:: | 不揮発性 |
| 工場のストック:: | 0 |
| サイクルの時間 - Word,ページを書き:: | 8ms,5ms |
| テクノロジー: | フラッシュ- |
|---|---|
| 製品カテゴリー:: | メモリIC |
| メモリタイプ:: | 不揮発性 |
| 工場のストック:: | 0 |
| サイクルの時間 - Word,ページを書き:: | 60ns |
| テクノロジー: | DRAM |
|---|---|
| 製品カテゴリー:: | メモリIC |
| メモリタイプ:: | 揮発 |
| 工場のストック:: | 0 |
| サイクルの時間 - Word,ページを書き:: | - |
| テクノロジー: | DRAM |
|---|---|
| 製品カテゴリー:: | メモリIC |
| メモリタイプ:: | 揮発 |
| 工場のストック:: | 0 |
| サイクルの時間 - Word,ページを書き:: | - |
| テクノロジー: | フラッシュ- |
|---|---|
| 製品カテゴリー:: | メモリIC |
| メモリタイプ:: | 不揮発性 |
| 工場のストック:: | 0 |
| サイクルの時間 - Word,ページを書き:: | 60ns |
| テクノロジー: | SDRAM -移動式LPDDR4 |
|---|---|
| 製品カテゴリー:: | メモリIC |
| メモリタイプ:: | 揮発 |
| 工場のストック:: | 0 |
| サイクルの時間 - Word,ページを書き:: | - |
