メモリ統合回路 MT53D512M32D2NP-046 AAT:D TR
テクノロジー: | SDRAM -移動式LPDDR4 |
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製品カテゴリー:: | メモリIC |
メモリタイプ:: | 揮発 |
工場のストック:: | 0 |
サイクルの時間 - Word,ページを書き:: | - |
テクノロジー: | SDRAM -移動式LPDDR4 |
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製品カテゴリー:: | メモリIC |
メモリタイプ:: | 揮発 |
工場のストック:: | 0 |
サイクルの時間 - Word,ページを書き:: | - |
テクノロジー: | フラッシュ- |
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製品カテゴリー:: | メモリIC |
メモリタイプ:: | 不揮発性 |
工場のストック:: | 0 |
サイクルの時間 - Word,ページを書き:: | 8ms,5ms |
テクノロジー: | SDRAM -移動式LPDDR4 |
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製品カテゴリー:: | メモリIC |
メモリタイプ:: | 揮発 |
工場のストック:: | 0 |
サイクルの時間 - Word,ページを書き:: | - |
テクノロジー: | フラッシュ- |
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製品カテゴリー:: | メモリIC |
メモリタイプ:: | 不揮発性 |
工場のストック:: | 0 |
サイクルの時間 - Word,ページを書き:: | 8ms,5ms |
テクノロジー: | SDRAM -移動式LPDDR4 |
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製品カテゴリー:: | メモリIC |
メモリタイプ:: | 揮発 |
工場のストック:: | 0 |
サイクルの時間 - Word,ページを書き:: | - |
テクノロジー: | フラッシュ- |
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製品カテゴリー:: | メモリIC |
メモリタイプ:: | 不揮発性 |
工場のストック:: | 0 |
サイクルの時間 - Word,ページを書き:: | 8ms,5ms |
テクノロジー: | フラッシュ- |
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製品カテゴリー:: | メモリIC |
メモリタイプ:: | 不揮発性 |
工場のストック:: | 0 |
サイクルの時間 - Word,ページを書き:: | 8ms,5ms |
テクノロジー: | SDRAM -移動式LPDDR4 |
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製品カテゴリー:: | メモリIC |
メモリタイプ:: | 揮発 |
工場のストック:: | 0 |
サイクルの時間 - Word,ページを書き:: | - |
テクノロジー: | フラッシュ- |
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製品カテゴリー:: | メモリIC |
メモリタイプ:: | 不揮発性 |
工場のストック:: | 0 |
サイクルの時間 - Word,ページを書き:: | 8ms,5ms |
テクノロジー: | SDRAM -移動式LPDDR4 |
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製品カテゴリー:: | メモリIC |
メモリタイプ:: | 揮発 |
工場のストック:: | 0 |
サイクルの時間 - Word,ページを書き:: | - |
テクノロジー: | SDRAM -移動式LPDDR4 |
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製品カテゴリー:: | メモリIC |
メモリタイプ:: | 揮発 |
工場のストック:: | 0 |
サイクルの時間 - Word,ページを書き:: | - |
テクノロジー: | フラッシュ- |
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製品カテゴリー:: | メモリIC |
メモリタイプ:: | 不揮発性 |
工場のストック:: | 0 |
サイクルの時間 - Word,ページを書き:: | 8ms,5ms |
テクノロジー: | フラッシュ- |
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製品カテゴリー:: | メモリIC |
メモリタイプ:: | 不揮発性 |
工場のストック:: | 0 |
サイクルの時間 - Word,ページを書き:: | 8ms,5ms |
テクノロジー: | FLASH - NAND |
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製品カテゴリー:: | メモリIC |
メモリタイプ:: | 不揮発性 |
工場のストック:: | 0 |
サイクルの時間 - Word,ページを書き:: | - |
テクノロジー: | フラッシュ- |
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製品カテゴリー:: | メモリIC |
メモリタイプ:: | 不揮発性 |
工場のストック:: | 0 |
サイクルの時間 - Word,ページを書き:: | 8ms、2.8ms |