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ic integrated circuits

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키워드 [ ic integrated circuits ] 시합 67354 상품.

메모리 통합 회로 JW983

메모리 통합 회로 JW983

기술 ::	플래시 - NAND
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
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메모리 통합 회로 PZ28F032M29EWLA

메모리 통합 회로 PZ28F032M29EWLA

기술 ::	플래시 -도 또한
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	60 나노 초

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메모리 통합 회로 MT25QL512ABB8E12-1SIT TR

메모리 통합 회로 MT25QL512ABB8E12-1SIT TR

기술 ::	플래시 -도 또한
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
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메모리 통합 회로 PN28F128M29EWHA

메모리 통합 회로 PN28F128M29EWHA

기술 ::	플래시 -도 또한
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	60 나노 초

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메모리 통합 회로 MT29F256G08CEECBH6-12:C

메모리 통합 회로 MT29F256G08CEECBH6-12:C

기술 ::	플래시 - NAND
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
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메모리 통합 회로 PF48F4400P0VBQ2E

메모리 통합 회로 PF48F4400P0VBQ2E

기술 ::	플래시 -도 또한
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
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메모리 통합 회로 ECY4008AACS-Y3

메모리 통합 회로 ECY4008AACS-Y3

기술 ::	-
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	-
Factory Stock ::	0
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메모리 통합 회로 PC28F320J3F75E

메모리 통합 회로 PC28F320J3F75E

기술 ::	플래시 -도 또한
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	75 나노 초

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메모리 통합 회로 ECB240ABCCN-Y3

메모리 통합 회로 ECB240ABCCN-Y3

기술 ::	-
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	-
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 PC28F128M29EWLX

메모리 통합 회로 PC28F128M29EWLX

기술 ::	플래시 -도 또한
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	60 나노 초

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메모리 통합 회로 EDB4064B3PB-8D-F-D

메모리 통합 회로 EDB4064B3PB-8D-F-D

기술 ::	SDRAM - 모바일 LPDDR2
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 PC28F128J3F75F

메모리 통합 회로 PC28F128J3F75F

기술 ::	플래시 -도 또한
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	75 나노 초

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메모리 통합 회로 PC28F064M29EWHX

메모리 통합 회로 PC28F064M29EWHX

기술 ::	플래시 -도 또한
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	60 나노 초

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메모리 통합 회로 MT40A2G4TRF-093E:A

메모리 통합 회로 MT40A2G4TRF-093E:A

기술 ::	SDRAM - DDR4
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 NP8P128AE3TSM60E

메모리 통합 회로 NP8P128AE3TSM60E

기술 ::	PCM (PRAM)
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	135ns

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