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ic integrated circuits

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키워드 [ ic integrated circuits ] 시합 67354 상품.

메모리 통합 회로 N25Q128A13TF840F TR

메모리 통합 회로 N25Q128A13TF840F TR

기술 ::	플래시 -도 또한
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	8ms, 5ms

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메모리 통합 회로 MT44K32M18RB-093:A

메모리 통합 회로 MT44K32M18RB-093:A

기술 ::	DRAM
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 N25Q128A11TSF40F TR

메모리 통합 회로 N25Q128A11TSF40F TR

기술 ::	플래시 -도 또한
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	8ms, 5ms

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메모리 통합 회로 MTFC8GLWDM-AIT Z

메모리 통합 회로 MTFC8GLWDM-AIT Z

기술 ::	플래시 - NAND
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 MT29F2G16ABBEAH4:E TR

메모리 통합 회로 MT29F2G16ABBEAH4:E TR

기술 ::	플래시 - NAND
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 MTFC8GACAEDQ-K1 AIT

메모리 통합 회로 MTFC8GACAEDQ-K1 AIT

기술 ::	플래시 - NAND
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 MTFC32GJWEF-4M AIT Z

메모리 통합 회로 MTFC32GJWEF-4M AIT Z

기술 ::	플래시 - NAND
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 MT47H128M8CF-3 AIT:H TR

메모리 통합 회로 MT47H128M8CF-3 AIT:H TR

기술 ::	SDRAM - DDR2
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	15 나노 초

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메모리 통합 회로 MTFC32GAMAKAM-WT

메모리 통합 회로 MTFC32GAMAKAM-WT

기술 ::	플래시 - NAND
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 MTFC16GAKAEDQ-AAT

메모리 통합 회로 MTFC16GAKAEDQ-AAT

기술 ::	플래시 - NAND
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 MT53B768M32D4NQ-062 AIT:B

메모리 통합 회로 MT53B768M32D4NQ-062 AIT:B

기술 ::	SDRAM - 모바일 LPDDR4
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 M29W320DT70N3F TR

메모리 통합 회로 M29W320DT70N3F TR

기술 ::	플래시 -도 또한
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	70 나노 초

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메모리 통합 회로 MT53B512M64D4NH-062 WT:C

메모리 통합 회로 MT53B512M64D4NH-062 WT:C

기술 ::	SDRAM - 모바일 LPDDR4
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 M29W160EB70N3F TR

메모리 통합 회로 M29W160EB70N3F TR

기술 ::	플래시 -도 또한
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	70 나노 초

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메모리 통합 회로 MT53B4DCNK-DC

메모리 통합 회로 MT53B4DCNK-DC

기술 ::	SDRAM - 모바일 LPDDR4
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
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