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ic integrated circuits

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키워드 [ ic integrated circuits ] 시합 67354 상품.
메모리 통합 회로 MT29C1G56MAACAAAMD-5 IT

메모리 통합 회로 MT29C1G56MAACAAAMD-5 IT

기술 :: 플래시 - NAND, 모바일 LPDRAM
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
Factory Stock :: 0
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메모리 통합 회로 MT29C1G12MAADVAML-5 IT

메모리 통합 회로 MT29C1G12MAADVAML-5 IT

기술 :: 플래시 - NAND, 모바일 LPDRAM
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
Factory Stock :: 0
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메모리 통합 회로 MT46H16M32LFT67M-N1003

메모리 통합 회로 MT46H16M32LFT67M-N1003

기술 :: -
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: -
Factory Stock :: 0
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메모리 통합 회로 MT29C1G12MAADAFAKD-6 IT

메모리 통합 회로 MT29C1G12MAADAFAKD-6 IT

기술 :: 플래시 - NAND, 모바일 LPDRAM
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
Factory Stock :: 0
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메모리 통합 회로 MTA8ATF51264HZ-2G1B1

메모리 통합 회로 MTA8ATF51264HZ-2G1B1

기술 :: SDRAM - DDR4
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
Factory Stock :: 0
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메모리 통합 회로 M29W128GSL70ZS6F TR

메모리 통합 회로 M29W128GSL70ZS6F TR

기술 :: 플래시 -도 또한
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 70 나노 초
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메모리 통합 회로 MT29C1G12MAACYAKD-5 IT

메모리 통합 회로 MT29C1G12MAACYAKD-5 IT

기술 :: 플래시 - NAND, 모바일 LPDRAM
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
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메모리 통합 회로 MT29C1G12MAACAFAML-6 IT

메모리 통합 회로 MT29C1G12MAACAFAML-6 IT

기술 :: 플래시 - NAND, 모바일 LPDRAM
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
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메모리 통합 회로 MTA8ATF1G64AZ-2G3A1

메모리 통합 회로 MTA8ATF1G64AZ-2G3A1

기술 :: SDRAM - DDR4
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
Factory Stock :: 0
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메모리 통합 회로 M58LT128HST8ZA6F TR

메모리 통합 회로 M58LT128HST8ZA6F TR

기술 :: 플래시 -도 또한
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 85ns
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메모리 통합 회로 MT29C1G12MAACAEAMD-6 IT

메모리 통합 회로 MT29C1G12MAACAEAMD-6 IT

기술 :: 플래시 - NAND, 모바일 LPDRAM
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
Factory Stock :: 0
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메모리 통합 회로 MT47H128M8CF-25E:M

메모리 통합 회로 MT47H128M8CF-25E:M

기술 :: SDRAM - DDR2
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 15 나노 초
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메모리 통합 회로 M28W320HST70ZA6F TR

메모리 통합 회로 M28W320HST70ZA6F TR

기술 :: 플래시 -도 또한
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 70 나노 초
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메모리 통합 회로 MT41K64M16TW-125:J

메모리 통합 회로 MT41K64M16TW-125:J

기술 :: SDRAM - DDR3L
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
Factory Stock :: 0
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메모리 통합 회로 NAND256W3A0BZA6E

메모리 통합 회로 NAND256W3A0BZA6E

기술 :: 플래시 - NAND
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 50 나노 초
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