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ic integrated circuits

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키워드 [ ic integrated circuits ] 시합 67354 상품.
메모리 통합 회로 MT45W512KW16PEGA-70 IT TR

메모리 통합 회로 MT45W512KW16PEGA-70 IT TR

기술 :: 퍼슈도스태틱 메모리 (준에스램)
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 70 나노 초
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메모리 통합 회로 MTFC32GAKAEEF-O1 AIT

메모리 통합 회로 MTFC32GAKAEEF-O1 AIT

기술 :: 플래시 - NAND
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: -
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메모리 통합 회로 PC28F512M29EWLA

메모리 통합 회로 PC28F512M29EWLA

기술 :: 플래시 -도 또한
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 100 나노 초
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메모리 통합 회로 MT45W1MW16BDGB-708 AT TR

메모리 통합 회로 MT45W1MW16BDGB-708 AT TR

기술 :: 퍼슈도스태틱 메모리 (준에스램)
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 70 나노 초
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메모리 통합 회로 MT53D384M32D2DS-053 WT:C

메모리 통합 회로 MT53D384M32D2DS-053 WT:C

기술 :: SDRAM - 모바일 LPDDR4
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: -
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메모리 통합 회로 JS28F00AP30BFA

메모리 통합 회로 JS28F00AP30BFA

기술 :: 플래시 -도 또한
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 110 나노 초
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메모리 통합 회로 MT53D512M32D2NP-062 WT:D

메모리 통합 회로 MT53D512M32D2NP-062 WT:D

기술 :: SDRAM - 모바일 LPDDR4
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: -
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메모리 통합 회로 MT45V256KW16PEGA-55 WT TR

메모리 통합 회로 MT45V256KW16PEGA-55 WT TR

기술 :: 퍼슈도스태틱 메모리 (준에스램)
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 55 나노 초
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메모리 통합 회로 JS28F00AP33TFA

메모리 통합 회로 JS28F00AP33TFA

기술 :: 플래시 -도 또한
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 105 나노 초
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메모리 통합 회로 MT53D4DBNY-DC

메모리 통합 회로 MT53D4DBNY-DC

기술 :: SDRAM - 모바일 LPDDR4
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: -
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메모리 통합 회로 MT29F32G08FAAWP-ET:A TR

메모리 통합 회로 MT29F32G08FAAWP-ET:A TR

기술 :: 플래시 - NAND
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: -
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메모리 통합 회로 MT47H512M4THN-37E:E TR

메모리 통합 회로 MT47H512M4THN-37E:E TR

기술 :: SDRAM - DDR2
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 15 나노 초
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메모리 통합 회로 MT53B384M32D2DS-062 AAT:B

메모리 통합 회로 MT53B384M32D2DS-062 AAT:B

기술 :: SDRAM - 모바일 LPDDR4
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: -
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메모리 통합 회로 PC28F00AP30EFA

메모리 통합 회로 PC28F00AP30EFA

기술 :: 플래시 -도 또한
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 100 나노 초
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메모리 통합 회로 MT49H8M36BM-33 TR

메모리 통합 회로 MT49H8M36BM-33 TR

기술 :: DRAM
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
Factory Stock :: 0
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