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ic integrated circuits

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키워드 [ ic integrated circuits ] 시합 67354 상품.

메모리 통합 회로 MT29F4G08ABAFAH4-AATES:F

메모리 통합 회로 MT29F4G08ABAFAH4-AATES:F

기술 ::	플래시 - NAND
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 MT41K1G4RG-107:N

메모리 통합 회로 MT41K1G4RG-107:N

기술 ::	SDRAM - DDR3L
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 MT46H8M32LFB5-6 IT:A TR

메모리 통합 회로 MT46H8M32LFB5-6 IT:A TR

기술 ::	SDRAM - 모바일 LPDDR
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	12 나노 초

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메모리 통합 회로 MT48H8M16LFB4-6:K TR

메모리 통합 회로 MT48H8M16LFB4-6:K TR

기술 ::	SDRAM - 모바일 LPSDR
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	15 나노 초

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메모리 통합 회로 MT29F64G08CBCGBSX-37BES:G

메모리 통합 회로 MT29F64G08CBCGBSX-37BES:G

기술 ::	플래시 - NAND
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 MT48H4M16LFB4-8:H TR

메모리 통합 회로 MT48H4M16LFB4-8:H TR

기술 ::	SDRAM - 모바일 LPSDR
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	15 나노 초

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메모리 통합 회로 MT41K512M8DA-107 V:P

메모리 통합 회로 MT41K512M8DA-107 V:P

기술 ::	SDRAM - DDR3L
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 MT48H32M16LFBF-6:B TR

메모리 통합 회로 MT48H32M16LFBF-6:B TR

기술 ::	SDRAM - 모바일 LPSDR
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	15 나노 초

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메모리 통합 회로 MT29F8G01ADBFD12-ITES:F

메모리 통합 회로 MT29F8G01ADBFD12-ITES:F

기술 ::	플래시 - NAND
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 NAND128W3A0BN6F TR

메모리 통합 회로 NAND128W3A0BN6F TR

기술 ::	플래시 - NAND
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	50 나노 초

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메모리 통합 회로 MT48H16M32LFCM-6 IT:B TR

메모리 통합 회로 MT48H16M32LFCM-6 IT:B TR

기술 ::	SDRAM - 모바일 LPSDR
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	15 나노 초

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메모리 통합 회로 MT25QL512ABB8E12-0AUT

메모리 통합 회로 MT25QL512ABB8E12-0AUT

기술 ::	플래시 -도 또한
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	8명의 부인 콤마 2.8 부인

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메모리 통합 회로 MT47H64M16HR-3 IT:G TR

메모리 통합 회로 MT47H64M16HR-3 IT:G TR

기술 ::	SDRAM - DDR2
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	15 나노 초

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메모리 통합 회로 MT41K256M8DA-107 IT:K

메모리 통합 회로 MT41K256M8DA-107 IT:K

기술 ::	SDRAM - DDR3L
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 MT47H64M16HR-25E IT:G TR

메모리 통합 회로 MT47H64M16HR-25E IT:G TR

기술 ::	SDRAM - DDR2
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	15 나노 초

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