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ic integrated circuits

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키워드 [ ic integrated circuits ] 시합 67354 상품.

메모리 통합 회로 MT29F1T08CLHBBG1-3R:B TR

메모리 통합 회로 MT29F1T08CLHBBG1-3R:B TR

기술 ::	-
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	-
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 MT29C4G48MAAGBBAKS-48 WT TR

메모리 통합 회로 MT29C4G48MAAGBBAKS-48 WT TR

기술 ::	플래시 - NAND, 모바일 LPDRAM
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 RD48F4400P0VBQ0A

메모리 통합 회로 RD48F4400P0VBQ0A

기술 ::	플래시 -도 또한
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	85ns

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메모리 통합 회로 MT41K128M8DA-107 AIT:J

메모리 통합 회로 MT41K128M8DA-107 AIT:J

기술 ::	SDRAM - DDR3L
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 RD48F3000P0ZBQ0A

메모리 통합 회로 RD48F3000P0ZBQ0A

기술 ::	플래시 -도 또한
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	85ns

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메모리 통합 회로 MT40A512M16JY-083E AIT:B TR

메모리 통합 회로 MT40A512M16JY-083E AIT:B TR

기술 ::	SDRAM - DDR4
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 RD48F4000P0ZBQ0A

메모리 통합 회로 RD48F4000P0ZBQ0A

기술 ::	플래시 -도 또한
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	100 나노 초

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메모리 통합 회로 MT40A1G8WE-083E AUT:B TR

메모리 통합 회로 MT40A1G8WE-083E AUT:B TR

기술 ::	SDRAM - DDR4
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 TE28F640P30T85A

메모리 통합 회로 TE28F640P30T85A

기술 ::	플래시 -도 또한
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	85ns

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메모리 통합 회로 N25Q128A13ESFH0F TR

메모리 통합 회로 N25Q128A13ESFH0F TR

기술 ::	플래시 -도 또한
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	8ms, 5ms

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메모리 통합 회로 TE28F320J3D75A

메모리 통합 회로 TE28F320J3D75A

기술 ::	플래시 -도 또한
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	75 나노 초

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메모리 통합 회로 N25Q128A13EF840F TR

메모리 통합 회로 N25Q128A13EF840F TR

기술 ::	플래시 -도 또한
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	8ms, 5ms

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메모리 통합 회로 M58BW16FB4T3T TR

메모리 통합 회로 M58BW16FB4T3T TR

기술 ::	플래시 -도 또한
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	45 나노 초

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메모리 통합 회로 N25Q128A11ESE40F TR

메모리 통합 회로 N25Q128A11ESE40F TR

기술 ::	플래시 -도 또한
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	8ms, 5ms

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메모리 통합 회로 M45PE40-VMP6TG TR

메모리 통합 회로 M45PE40-VMP6TG TR

기술 ::	플래시 -도 또한
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	15명의 부인 콤마 3 부인

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