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ic integrated circuits

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키워드 [ ic integrated circuits ] 시합 67354 상품.

메모리 통합 회로 JS28F640J3D75E

메모리 통합 회로 JS28F640J3D75E

기술 ::	플래시 -도 또한
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	75 나노 초

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메모리 통합 회로 MT47H64M16BT-3:A TR

메모리 통합 회로 MT47H64M16BT-3:A TR

기술 ::	SDRAM - DDR2
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	15 나노 초

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메모리 통합 회로 MT49H16M18CSJ-25:B

메모리 통합 회로 MT49H16M18CSJ-25:B

기술 ::	DRAM
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 MT46H8M32LFB5-10 IT:A TR

메모리 통합 회로 MT46H8M32LFB5-10 IT:A TR

기술 ::	SDRAM - 모바일 LPDDR
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	15 나노 초

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메모리 통합 회로 RC28F256P30B85A

메모리 통합 회로 RC28F256P30B85A

기술 ::	플래시 -도 또한
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	85ns

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메모리 통합 회로 MT49H32M18CSJ-18:B TR

메모리 통합 회로 MT49H32M18CSJ-18:B TR

기술 ::	DRAM
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
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메모리 통합 회로 PC28F128J3D75A

메모리 통합 회로 PC28F128J3D75A

기술 ::	플래시 -도 또한
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	75 나노 초

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메모리 통합 회로 MT49H16M36SJ-25E:B TR

메모리 통합 회로 MT49H16M36SJ-25E:B TR

기술 ::	DRAM
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 JS28F320J3D75A

메모리 통합 회로 JS28F320J3D75A

기술 ::	플래시 -도 또한
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	75 나노 초

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메모리 통합 회로 MT49H32M9SJ-25:B TR

메모리 통합 회로 MT49H32M9SJ-25:B TR

기술 ::	DRAM
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 MT25QU01GBBB8ESF-0SIT

메모리 통합 회로 MT25QU01GBBB8ESF-0SIT

기술 ::	플래시 -도 또한
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	8명의 부인 콤마 2.8 부인

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메모리 통합 회로 MT49H8M36SJ-25E:B TR

메모리 통합 회로 MT49H8M36SJ-25E:B TR

기술 ::	DRAM
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 MT29F32G08CBADBWPR:D

메모리 통합 회로 MT29F32G08CBADBWPR:D

기술 ::	플래시 - NAND
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 640P30TF65

메모리 통합 회로 640P30TF65

기술 ::	플래시 -도 또한
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	65n

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메모리 통합 회로 N25Q512A83G12A0F TR

메모리 통합 회로 N25Q512A83G12A0F TR

기술 ::	플래시 -도 또한
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	8ms, 5ms

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