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키워드 [ ic integrated circuits ] 시합 67354 상품.
메모리 통합 회로 MT47H512M4THN-3:E TR

메모리 통합 회로 MT47H512M4THN-3:E TR

기술 :: SDRAM - DDR2
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 15 나노 초
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메모리 통합 회로 EDW4032BABG-60-F-R TR

메모리 통합 회로 EDW4032BABG-60-F-R TR

기술 :: SGRAM-GDDR5
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
Factory Stock :: 0
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메모리 통합 회로 MT49H16M16FM-5 TR

메모리 통합 회로 MT49H16M16FM-5 TR

기술 :: DRAM
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
Factory Stock :: 0
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메모리 통합 회로 MT29F1T08CUCCBH8-6ITR:C TR

메모리 통합 회로 MT29F1T08CUCCBH8-6ITR:C TR

기술 :: 플래시 - NAND
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
Factory Stock :: 0
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메모리 통합 회로 MT29F64G08TAAWP:A TR

메모리 통합 회로 MT29F64G08TAAWP:A TR

기술 :: 플래시 - NAND
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
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메모리 통합 회로 MT29F256G08CMCGBJ4-37R:G TR

메모리 통합 회로 MT29F256G08CMCGBJ4-37R:G TR

기술 :: 플래시 - NAND
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
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메모리 통합 회로 M29W640FB70ZA6E

메모리 통합 회로 M29W640FB70ZA6E

기술 :: 플래시 -도 또한
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
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메모리 통합 회로 EDFP164A3PD-GD-F-R TR

메모리 통합 회로 EDFP164A3PD-GD-F-R TR

기술 :: SDRAM - 모바일 LPDDR3
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
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메모리 통합 회로 MT29F128G08CECGBJ4-37R:G TR

메모리 통합 회로 MT29F128G08CECGBJ4-37R:G TR

기술 :: 플래시 - NAND
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
Factory Stock :: 0
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메모리 통합 회로 EDFP112A3PF-JD-F-R TR

메모리 통합 회로 EDFP112A3PF-JD-F-R TR

기술 :: SDRAM - 모바일 LPDDR3
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
Factory Stock :: 0
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메모리 통합 회로 MT47H32M16CC-3:B TR

메모리 통합 회로 MT47H32M16CC-3:B TR

기술 :: SDRAM - DDR2
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 15 나노 초
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메모리 통합 회로 MT46V64M16P-6T IT:A TR

메모리 통합 회로 MT46V64M16P-6T IT:A TR

기술 :: SDRAM - DDR
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 15 나노 초
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메모리 통합 회로 MTFC8GACAAAM-1M WT TR

메모리 통합 회로 MTFC8GACAAAM-1M WT TR

기술 :: -
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: -
Factory Stock :: 0
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메모리 통합 회로 EDFP112A3PB-JDTJ-F-R TR

메모리 통합 회로 EDFP112A3PB-JDTJ-F-R TR

기술 :: SDRAM - 모바일 LPDDR3
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
Factory Stock :: 0
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메모리 통합 회로 MT48LC8M16LFB4-75M:G TR

메모리 통합 회로 MT48LC8M16LFB4-75M:G TR

기술 :: SDRAM - 모바일 LPSDR
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 15 나노 초
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