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ic integrated circuits

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키워드 [ ic integrated circuits ] 시합 67354 상품.

메모리 통합 회로 MT28F128J3BS-12 MET TR

메모리 통합 회로 MT28F128J3BS-12 MET TR

기술 ::	플래시
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 MT47H128M8B7-37E:A TR

메모리 통합 회로 MT47H128M8B7-37E:A TR

기술 ::	SDRAM - DDR2
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	15 나노 초

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메모리 통합 회로 MTFC16GAPALBH-AAT TR

메모리 통합 회로 MTFC16GAPALBH-AAT TR

기술 ::	플래시 - NAND
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 MT28F008B5VG-8 TET TR

메모리 통합 회로 MT28F008B5VG-8 TET TR

기술 ::	플래시 -도 또한
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	80 나노 초

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메모리 통합 회로 MT28FW01GABA1HPC-0AAT TR

메모리 통합 회로 MT28FW01GABA1HPC-0AAT TR

기술 ::	플래시 -도 또한
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	60 나노 초

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메모리 통합 회로 MT47H128M8B7-5E:A TR

메모리 통합 회로 MT47H128M8B7-5E:A TR

기술 ::	SDRAM - DDR2
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	15 나노 초

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메모리 통합 회로 MTFC128GAJAECE-AIT TR

메모리 통합 회로 MTFC128GAJAECE-AIT TR

기술 ::	플래시 - NAND
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 MT28F008B5VG-8 BET TR

메모리 통합 회로 MT28F008B5VG-8 BET TR

기술 ::	플래시 -도 또한
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	80 나노 초

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메모리 통합 회로 EDB1332BDPA-1D-F-D

메모리 통합 회로 EDB1332BDPA-1D-F-D

기술 ::	SDRAM - 모바일 LPDDR2
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 MT47H256M4B7-5E:A

메모리 통합 회로 MT47H256M4B7-5E:A

기술 ::	SDRAM - DDR2
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	15 나노 초

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메모리 통합 회로 MT28F008B3VP-9 B TR

메모리 통합 회로 MT28F008B3VP-9 B TR

기술 ::	플래시 -도 또한
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	90ns

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메모리 통합 회로 MT29F8G08FACWP:C TR

메모리 통합 회로 MT29F8G08FACWP:C TR

기술 ::	플래시 - NAND
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 MT53D512M64D8TZ-053 WT ES:B TR

메모리 통합 회로 MT53D512M64D8TZ-053 WT ES:B TR

기술 ::	SDRAM - 모바일 LPDDR4
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 N25Q016A11EF640E

메모리 통합 회로 N25Q016A11EF640E

기술 ::	플래시 -도 또한
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	8ms, 1ms

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메모리 통합 회로 MT28F008B3VG-9 T TR

메모리 통합 회로 MT28F008B3VG-9 T TR

기술 ::	플래시 -도 또한
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
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