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ic integrated circuits

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키워드 [ ic integrated circuits ] 시합 67354 상품.

메모리 통합 회로 MT28F640J3RG-115 ET TR

메모리 통합 회로 MT28F640J3RG-115 ET TR

기술 ::	플래시
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 PC28F128P33BF60A

메모리 통합 회로 PC28F128P33BF60A

기술 ::	플래시 -도 또한
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	60 나노 초

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메모리 통합 회로 MT53B256M32D1DS-062 AIT:C

메모리 통합 회로 MT53B256M32D1DS-062 AIT:C

기술 ::	SDRAM - 모바일 LPDDR4
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 MT28F128J3RG-12 ET TR

메모리 통합 회로 MT28F128J3RG-12 ET TR

기술 ::	플래시
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 PC28F00BP30EFA

메모리 통합 회로 PC28F00BP30EFA

기술 ::	플래시 -도 또한
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	105 나노 초

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메모리 통합 회로 MT29F128G08CBCEBJ4-37:E

메모리 통합 회로 MT29F128G08CBCEBJ4-37:E

기술 ::	플래시 - NAND
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 PC28F800C3BD70A

메모리 통합 회로 PC28F800C3BD70A

기술 ::	플래시 - 부트 블록
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	70 나노 초

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메모리 통합 회로 NP8P128AE3B1760E

메모리 통합 회로 NP8P128AE3B1760E

기술 ::	PCM (PRAM)
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	135ns

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메모리 통합 회로 MT40A1G16WBU-075E:B

메모리 통합 회로 MT40A1G16WBU-075E:B

기술 ::	SDRAM - DDR4
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 M25P10-AVMP6T TR

메모리 통합 회로 M25P10-AVMP6T TR

기술 ::	플래시 -도 또한
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	15명의 부인 콤마 5 부인

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메모리 통합 회로 N25Q128A13TSF40G

메모리 통합 회로 N25Q128A13TSF40G

기술 ::	플래시 -도 또한
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	8ms, 5ms

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메모리 통합 회로 MT40A512M8RH-083E AUT:B

메모리 통합 회로 MT40A512M8RH-083E AUT:B

기술 ::	SDRAM - DDR4
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 N25Q128A13BSF40G

메모리 통합 회로 N25Q128A13BSF40G

기술 ::	플래시 -도 또한
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	8ms, 5ms

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메모리 통합 회로 MT29AZ5A3CHHWD-18AAT.84F

메모리 통합 회로 MT29AZ5A3CHHWD-18AAT.84F

기술 ::	플래시 - NAND, 모바일 LPDRAM
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 N25Q064A13ESEC0E

메모리 통합 회로 N25Q064A13ESEC0E

기술 ::	플래시 -도 또한
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	8ms, 5ms

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