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키워드 [ ic integrated circuits ] 시합 67354 상품.
메모리 통합 회로 MT28EW128ABA1HJS-0SIT

메모리 통합 회로 MT28EW128ABA1HJS-0SIT

기술 :: 플래시 -도 또한
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 60 나노 초
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메모리 통합 회로 N25Q064A11E12A0F TR

메모리 통합 회로 N25Q064A11E12A0F TR

기술 :: 플래시 -도 또한
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 8ms, 5ms
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메모리 통합 회로 JR28F032M29EWLA

메모리 통합 회로 JR28F032M29EWLA

기술 :: 플래시 -도 또한
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 70 나노 초
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메모리 통합 회로 MT29F1G08ABBFAH4-ITE:F

메모리 통합 회로 MT29F1G08ABBFAH4-ITE:F

기술 :: 플래시 - NAND
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: -
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메모리 통합 회로 PZ28F032M29EWBB TR

메모리 통합 회로 PZ28F032M29EWBB TR

기술 :: 플래시 -도 또한
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 60 나노 초
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메모리 통합 회로 MT25QL256ABA8ESF-0AAT TR

메모리 통합 회로 MT25QL256ABA8ESF-0AAT TR

기술 :: 플래시 -도 또한
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 8명의 부인 콤마 2.8 부인
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메모리 통합 회로 MT29F1G01ABAFD12-AAT:F TR

메모리 통합 회로 MT29F1G01ABAFD12-AAT:F TR

기술 :: 플래시 - NAND
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
Factory Stock :: 0
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메모리 통합 회로 PC48F4400P0VB0EF TR

메모리 통합 회로 PC48F4400P0VB0EF TR

기술 :: 플래시 -도 또한
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 85ns
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메모리 통합 회로 MT41K256M16TW-107 AAT:P TR

메모리 통합 회로 MT41K256M16TW-107 AAT:P TR

기술 :: SDRAM - DDR3L
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
Factory Stock :: 0
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메모리 통합 회로 M58BW32FB4D150

메모리 통합 회로 M58BW32FB4D150

기술 :: 플래시 -도 또한
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 45 나노 초
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메모리 통합 회로 N25Q128A13BSFH0F

메모리 통합 회로 N25Q128A13BSFH0F

기술 :: 플래시 -도 또한
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 8ms, 5ms
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메모리 통합 회로 MT40A256M16GE-083E:B

메모리 통합 회로 MT40A256M16GE-083E:B

기술 :: SDRAM - DDR4
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: -
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메모리 통합 회로 PC28F512P30BFB TR

메모리 통합 회로 PC28F512P30BFB TR

기술 :: 플래시 -도 또한
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 100 나노 초
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메모리 통합 회로 MT29F4G08ABADAWP-IT:D TR

메모리 통합 회로 MT29F4G08ABADAWP-IT:D TR

기술 :: 플래시 - NAND
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: -
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메모리 통합 회로 MT25TL256BAA1ESF-0AAT

메모리 통합 회로 MT25TL256BAA1ESF-0AAT

기술 :: 플래시 -도 또한
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 8명의 부인 콤마 2.8 부인
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