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키워드 [ ic integrated circuits ] 시합 67354 상품.
메모리 통합 회로 MT29F1T08CMHBBJ4-3R:B TR

메모리 통합 회로 MT29F1T08CMHBBJ4-3R:B TR

기술 :: 플래시 - NAND
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
Factory Stock :: 0
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메모리 통합 회로 MT48LC4M32B2B5-6A IT:L TR

메모리 통합 회로 MT48LC4M32B2B5-6A IT:L TR

기술 :: SDRAM
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 12 나노 초
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메모리 통합 회로 MT29F1HT08EMHBBJ4-3RES:B TR

메모리 통합 회로 MT29F1HT08EMHBBJ4-3RES:B TR

기술 :: 플래시 - NAND
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
Factory Stock :: 0
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메모리 통합 회로 MT41K256M16TW-107 XIT:P

메모리 통합 회로 MT41K256M16TW-107 XIT:P

기술 :: SDRAM - DDR3L
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
Factory Stock :: 0
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메모리 통합 회로 MT48LC4M16A2P-6A IT:J TR

메모리 통합 회로 MT48LC4M16A2P-6A IT:J TR

기술 :: SDRAM
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 12 나노 초
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메모리 통합 회로 MT29F1HT08ELHBBG1-3RES:B TR

메모리 통합 회로 MT29F1HT08ELHBBG1-3RES:B TR

기술 :: 플래시 - NAND
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
Factory Stock :: 0
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메모리 통합 회로 MT48LC32M8A2P-7E:G TR

메모리 통합 회로 MT48LC32M8A2P-7E:G TR

기술 :: SDRAM
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
Factory Stock :: 0
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메모리 통합 회로 MT29F1G16ABBEAHC-AIT:E TR

메모리 통합 회로 MT29F1G16ABBEAHC-AIT:E TR

기술 :: 플래시 - NAND
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
Factory Stock :: 0
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메모리 통합 회로 MT47H128M16RT-25E AIT:C TR

메모리 통합 회로 MT47H128M16RT-25E AIT:C TR

기술 :: SDRAM - DDR2
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 15 나노 초
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메모리 통합 회로 MT48LC2M32B2P-6A IT:J TR

메모리 통합 회로 MT48LC2M32B2P-6A IT:J TR

기술 :: SDRAM
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 12 나노 초
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메모리 통합 회로 MT29F128G08EBCDBWP-10M:D TR

메모리 통합 회로 MT29F128G08EBCDBWP-10M:D TR

기술 :: 플래시 - NAND
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
Factory Stock :: 0
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메모리 통합 회로 MT47H128M16RT-25E XIT:C TR

메모리 통합 회로 MT47H128M16RT-25E XIT:C TR

기술 :: SDRAM - DDR2
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 15 나노 초
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메모리 통합 회로 MT48LC2M32B2B5-6A AIT:J TR

메모리 통합 회로 MT48LC2M32B2B5-6A AIT:J TR

기술 :: SDRAM
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 12 나노 초
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메모리 통합 회로 MT29F128G08CEEDBJ4-12IT:D TR

메모리 통합 회로 MT29F128G08CEEDBJ4-12IT:D TR

기술 :: 플래시 - NAND
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
Factory Stock :: 0
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메모리 통합 회로 MT48LC16M8A2P-6A IT:L TR

메모리 통합 회로 MT48LC16M8A2P-6A IT:L TR

기술 :: SDRAM
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 12 나노 초
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