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ic integrated circuits

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키워드 [ ic integrated circuits ] 시합 67354 상품.

메모리 통합 회로 MT48LC8M16A2P-6A XIT:L TR

메모리 통합 회로 MT48LC8M16A2P-6A XIT:L TR

기술 ::	SDRAM
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	12 나노 초

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메모리 통합 회로 MT48LC4M32B2B5-6A:L TR

메모리 통합 회로 MT48LC4M32B2B5-6A:L TR

기술 ::	SDRAM
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	12 나노 초

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메모리 통합 회로 MT41K128M16JT-125 IT:K TR

메모리 통합 회로 MT41K128M16JT-125 IT:K TR

기술 ::	SDRAM - DDR3L
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 MT48LC8M16A2P-6A IT:L TR

메모리 통합 회로 MT48LC8M16A2P-6A IT:L TR

기술 ::	SDRAM
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	12 나노 초

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메모리 통합 회로 PF38F5060M0Y0BEA

메모리 통합 회로 PF38F5060M0Y0BEA

기술 ::	플래시 -도 또한
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	96 나노 초

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메모리 통합 회로 MT46V16M16P-5B AIT:M TR

메모리 통합 회로 MT46V16M16P-5B AIT:M TR

기술 ::	SDRAM - DDR
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	15 나노 초

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메모리 통합 회로 MT29F2G16ABBEAHC-AIT:E TR

메모리 통합 회로 MT29F2G16ABBEAHC-AIT:E TR

기술 ::	플래시 - NAND
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 MT46H32M16LFBF-5 IT:C TR

메모리 통합 회로 MT46H32M16LFBF-5 IT:C TR

기술 ::	SDRAM - 모바일 LPDDR
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	15 나노 초

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메모리 통합 회로 MT47H32M16NF-25E IT:H TR

메모리 통합 회로 MT47H32M16NF-25E IT:H TR

기술 ::	SDRAM - DDR2
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	15 나노 초

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메모리 통합 회로 MT29F2G08ABAEAWP-ITX:E TR

메모리 통합 회로 MT29F2G08ABAEAWP-ITX:E TR

기술 ::	플래시 - NAND
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 MT29F2G08ABBEAH4-IT:E TR

메모리 통합 회로 MT29F2G08ABBEAH4-IT:E TR

기술 ::	플래시 - NAND
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
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메모리 통합 회로 MT28EW256ABA1HPN-0SIT TR

메모리 통합 회로 MT28EW256ABA1HPN-0SIT TR

기술 ::	플래시 -도 또한
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	60 나노 초

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메모리 통합 회로 29F2G08ABAGA

메모리 통합 회로 29F2G08ABAGA

기술 ::	플래시 - NAND
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 MT44K32M18RB-125:A

메모리 통합 회로 MT44K32M18RB-125:A

기술 ::	DRAM
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 MT29F2G08ABAGAH4-ITE:G TR

메모리 통합 회로 MT29F2G08ABAGAH4-ITE:G TR

기술 ::	플래시 - NAND
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
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