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ic integrated circuits

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키워드 [ ic integrated circuits ] 시합 67354 상품.
메모리 통합 회로 MT48LC8M16A2P-75 IT:G

메모리 통합 회로 MT48LC8M16A2P-75 IT:G

기술 :: SDRAM
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 15 나노 초
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메모리 통합 회로 N25Q064A13EF8H0E

메모리 통합 회로 N25Q064A13EF8H0E

기술 :: 플래시 -도 또한
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 8ms, 5ms
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메모리 통합 회로 MT48LC4M32B2P-6 IT:G

메모리 통합 회로 MT48LC4M32B2P-6 IT:G

기술 :: SDRAM
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 12 나노 초
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메모리 통합 회로 N25Q00AA13G1241E

메모리 통합 회로 N25Q00AA13G1241E

기술 :: 플래시 -도 또한
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 8ms, 5ms
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메모리 통합 회로 MT48LC32M16A2P-75 IT:C

메모리 통합 회로 MT48LC32M16A2P-75 IT:C

기술 :: SDRAM
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 15 나노 초
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메모리 통합 회로 M58WR064KT7AZB6E

메모리 통합 회로 M58WR064KT7AZB6E

기술 :: 플래시 -도 또한
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
Factory Stock :: 0
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메모리 통합 회로 MT48LC2M32B2B5-7:G

메모리 통합 회로 MT48LC2M32B2B5-7:G

기술 :: SDRAM
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
Factory Stock :: 0
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메모리 통합 회로 M58WR032KB7AZB6E

메모리 통합 회로 M58WR032KB7AZB6E

기술 :: 플래시 -도 또한
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 70 나노 초
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메모리 통합 회로 MT48LC16M16A2P-75 IT:D

메모리 통합 회로 MT48LC16M16A2P-75 IT:D

기술 :: SDRAM
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 15 나노 초
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메모리 통합 회로 M58LT256KST8ZA6E

메모리 통합 회로 M58LT256KST8ZA6E

기술 :: 플래시 -도 또한
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 85ns
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메모리 통합 회로 MT48H8M32LFB5-6 IT:H

메모리 통합 회로 MT48H8M32LFB5-6 IT:H

기술 :: SDRAM - 모바일 LPSDR
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 15 나노 초
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메모리 통합 회로 M58LT128KST8ZA6E

메모리 통합 회로 M58LT128KST8ZA6E

기술 :: 플래시 -도 또한
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 85ns
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메모리 통합 회로 MT48H4M32LFB5-75:K

메모리 통합 회로 MT48H4M32LFB5-75:K

기술 :: SDRAM - 모바일 LPSDR
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 15 나노 초
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메모리 통합 회로 M58LR256KT70ZQ5E

메모리 통합 회로 M58LR256KT70ZQ5E

기술 :: 플래시 -도 또한
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 70 나노 초
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메모리 통합 회로 M58LR128KB85ZB6E

메모리 통합 회로 M58LR128KB85ZB6E

기술 :: 플래시 -도 또한
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
Factory Stock :: 0
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