logo
따옴표
korean
홈 /제품 소개/

ic integrated circuits

제가 지금 온라인 채팅 해요
담당자 : Coral
전화 번호 : +86 15211040646
키워드 [ ic integrated circuits ] 시합 67354 상품.
메모리 통합 회로 PC28F064M29EWTA

메모리 통합 회로 PC28F064M29EWTA

기술 :: 플래시 -도 또한
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 60 나노 초
지금 연락
메모리 통합 회로 NAND512W3A2SZAXE

메모리 통합 회로 NAND512W3A2SZAXE

기술 :: 플래시 - NAND
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 50 나노 초
지금 연락
메모리 통합 회로 NAND256W3A2BNXE

메모리 통합 회로 NAND256W3A2BNXE

기술 :: 플래시 - NAND
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 50 나노 초
지금 연락
메모리 통합 회로 N25Q256A13E1240F TR

메모리 통합 회로 N25Q256A13E1240F TR

기술 :: 플래시 -도 또한
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 8ms, 5ms
지금 연락
메모리 통합 회로 N25Q064A13ESE40G

메모리 통합 회로 N25Q064A13ESE40G

기술 :: 플래시 -도 또한
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 8ms, 5ms
지금 연락
메모리 통합 회로 N25Q064A13EF640F TR

메모리 통합 회로 N25Q064A13EF640F TR

기술 :: 플래시 -도 또한
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 8ms, 5ms
지금 연락
메모리 통합 회로 N25Q064A13E1240E

메모리 통합 회로 N25Q064A13E1240E

기술 :: 플래시 -도 또한
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 8ms, 5ms
지금 연락
메모리 통합 회로 N25Q032A13ESE40G

메모리 통합 회로 N25Q032A13ESE40G

기술 :: 플래시 -도 또한
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 8ms, 5ms
지금 연락
메모리 통합 회로 N25Q032A13E1241E

메모리 통합 회로 N25Q032A13E1241E

기술 :: 플래시 -도 또한
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 8ms, 5ms
지금 연락
메모리 통합 회로 MT48LC8M16A2P-6A XIT:L

메모리 통합 회로 MT48LC8M16A2P-6A XIT:L

기술 :: SDRAM
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 12 나노 초
지금 연락
메모리 통합 회로 MT48LC4M32B2P-6A AAT:L

메모리 통합 회로 MT48LC4M32B2P-6A AAT:L

기술 :: SDRAM
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 12 나노 초
지금 연락
메모리 통합 회로 MT48LC16M8A2BB-6A AAT:L

메모리 통합 회로 MT48LC16M8A2BB-6A AAT:L

기술 :: SDRAM
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 12 나노 초
지금 연락
메모리 통합 회로 MT48H16M16LFBF-75 AT:G TR

메모리 통합 회로 MT48H16M16LFBF-75 AT:G TR

기술 :: SDRAM - 모바일 LPSDR
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 15 나노 초
지금 연락
메모리 통합 회로 MT47H64M16HR-25E XIT:H

메모리 통합 회로 MT47H64M16HR-25E XIT:H

기술 :: SDRAM - DDR2
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 15 나노 초
지금 연락
메모리 통합 회로 MT48LC4M16A2P-6:G TR

메모리 통합 회로 MT48LC4M16A2P-6:G TR

기술 :: SDRAM
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 12 나노 초
지금 연락
< Previous 4409 4410 4411 4412 4413 Next > Last Total 4491 page
SHENZHEN ECER NETWORK TECHNOLOGY CO.,LTD
coral@pa.ecer.com
9:30-18:30
86--15211040646 9:30-18:30
선전시 푸톈구 메이린로 엑설런스 시티 2단계 A동 2204-2206호
우리에 대하여 상품 공장 여행 품질 관리 뉴스 사이트맵 사생활 보호 정책
메시지를 남기세요
중국 상등품 IC 집적 회로 공급자. 저작권 (c) 2023-2026 circuit-integrated.com . 무단 복제 금지.