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ic integrated circuits

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키워드 [ ic integrated circuits ] 시합 67354 상품.
메모리 통합 회로 MT29F32G08AFABAWP-IT:B

메모리 통합 회로 MT29F32G08AFABAWP-IT:B

기술 :: 플래시 - NAND
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: -
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메모리 통합 회로 MT48LC4M32B2TG-6:G TR

메모리 통합 회로 MT48LC4M32B2TG-6:G TR

기술 :: SDRAM
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 12 나노 초
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메모리 통합 회로 N25Q128A21BF840F TR

메모리 통합 회로 N25Q128A21BF840F TR

기술 :: 플래시 -도 또한
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 8ms, 5ms
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메모리 통합 회로 MT48LC4M16A2P-75 IT:G TR

메모리 통합 회로 MT48LC4M16A2P-75 IT:G TR

기술 :: SDRAM
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 15 나노 초
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메모리 통합 회로 N25Q128A13B1241F TR

메모리 통합 회로 N25Q128A13B1241F TR

기술 :: 플래시 -도 또한
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 8ms, 5ms
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메모리 통합 회로 MT48LC32M8A2FB-75:D TR

메모리 통합 회로 MT48LC32M8A2FB-75:D TR

기술 :: SDRAM
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 15 나노 초
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메모리 통합 회로 MT48LC32M16A2P-75 IT:C TR

메모리 통합 회로 MT48LC32M16A2P-75 IT:C TR

기술 :: SDRAM
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 15 나노 초
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메모리 통합 회로 MT48LC2M32B2P-7:G TR

메모리 통합 회로 MT48LC2M32B2P-7:G TR

기술 :: SDRAM
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 14ns
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메모리 통합 회로 MT48LC16M8A2TG-75 IT:G TR

메모리 통합 회로 MT48LC16M8A2TG-75 IT:G TR

기술 :: SDRAM
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 15 나노 초
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메모리 통합 회로 MT48LC16M16A2TG-7E:D

메모리 통합 회로 MT48LC16M16A2TG-7E:D

기술 :: SDRAM
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 14ns
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메모리 통합 회로 MT48LC16M16A2TG-75 IT:D TR

메모리 통합 회로 MT48LC16M16A2TG-75 IT:D TR

기술 :: SDRAM
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 15 나노 초
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메모리 통합 회로 M29W160EB70N3E

메모리 통합 회로 M29W160EB70N3E

기술 :: 플래시 -도 또한
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 70 나노 초
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메모리 통합 회로 MT48LC16M16A2FG-75:D TR

메모리 통합 회로 MT48LC16M16A2FG-75:D TR

기술 :: SDRAM
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 15 나노 초
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메모리 통합 회로 M29W160ET70N3F TR

메모리 통합 회로 M29W160ET70N3F TR

기술 :: 플래시 -도 또한
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 70 나노 초
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메모리 통합 회로 MT48H8M32LFB5-8 IT TR

메모리 통합 회로 MT48H8M32LFB5-8 IT TR

기술 :: SDRAM - 모바일 LPSDR
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 15 나노 초
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