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키워드 [ ic ] 시합 67658 상품.
메모리 통합 회로 PC48F4400P0TB0EE

메모리 통합 회로 PC48F4400P0TB0EE

기술 :: 플래시 -도 또한
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 95 나노 초
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메모리 통합 회로 MT46H32M16LFBF-6 AT:C TR

메모리 통합 회로 MT46H32M16LFBF-6 AT:C TR

기술 :: SDRAM - 모바일 LPDDR
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 15 나노 초
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메모리 통합 회로 NAND512W3A2SN6F TR

메모리 통합 회로 NAND512W3A2SN6F TR

기술 :: 플래시 - NAND
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 50 나노 초
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메모리 통합 회로 MT25QL512ABB8ESF-0SIT

메모리 통합 회로 MT25QL512ABB8ESF-0SIT

기술 :: 플래시 -도 또한
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 8명의 부인 콤마 2.8 부인
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메모리 통합 회로 RC28F256P30BFE

메모리 통합 회로 RC28F256P30BFE

기술 :: 플래시 -도 또한
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 100 나노 초
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메모리 통합 회로 MT48LC8M16A2B4-6A XIT:L TR

메모리 통합 회로 MT48LC8M16A2B4-6A XIT:L TR

기술 :: SDRAM
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 12 나노 초
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메모리 통합 회로 N2M400GDB321A3CF TR

메모리 통합 회로 N2M400GDB321A3CF TR

기술 :: 플래시 - NAND
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
Factory Stock :: 0
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메모리 통합 회로 N25W064A11EF640F TR

메모리 통합 회로 N25W064A11EF640F TR

기술 :: 플래시 -도 또한
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
Factory Stock :: 0
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메모리 통합 회로 PC28F256P30BFE

메모리 통합 회로 PC28F256P30BFE

기술 :: 플래시 -도 또한
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 100 나노 초
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메모리 통합 회로 MT28EW256ABA1HPC-0SIT

메모리 통합 회로 MT28EW256ABA1HPC-0SIT

기술 :: 플래시 -도 또한
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 60 나노 초
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메모리 통합 회로 MT46V16M16CY-5B AAT:M TR

메모리 통합 회로 MT46V16M16CY-5B AAT:M TR

기술 :: SDRAM - DDR
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 15 나노 초
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메모리 통합 회로 MT41K128M16JT-107 IT:K TR

메모리 통합 회로 MT41K128M16JT-107 IT:K TR

기술 :: SDRAM - DDR3L
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
Factory Stock :: 0
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메모리 통합 회로 PF48F4400P0VBQEJ

메모리 통합 회로 PF48F4400P0VBQEJ

기술 :: 플래시 -도 또한
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 100 나노 초
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메모리 통합 회로 N25Q512A83G1240F TR

메모리 통합 회로 N25Q512A83G1240F TR

기술 :: 플래시 -도 또한
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 8ms, 5ms
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메모리 통합 회로 N25Q512A13G1240F TR

메모리 통합 회로 N25Q512A13G1240F TR

기술 :: 플래시 -도 또한
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 8ms, 5ms
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