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키워드 [ ic ] 시합 67658 상품.

메모리 통합 회로 MT48LC16M16A2BG-7E:D TR

메모리 통합 회로 MT48LC16M16A2BG-7E:D TR

기술 ::	SDRAM
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	14ns

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메모리 통합 회로 MT46V16M16CY-5B XIT:M

메모리 통합 회로 MT46V16M16CY-5B XIT:M

기술 ::	SDRAM - DDR
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	15 나노 초

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메모리 통합 회로 MT48LC4M32B2P-7:G TR

메모리 통합 회로 MT48LC4M32B2P-7:G TR

기술 ::	SDRAM
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	14ns

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메모리 통합 회로 MT41J64M16JT-15E XIT:G

메모리 통합 회로 MT41J64M16JT-15E XIT:G

기술 ::	SDRAM - DDR3
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 MT46V32M16P-5B:F TR

메모리 통합 회로 MT46V32M16P-5B:F TR

기술 ::	SDRAM - DDR
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	15 나노 초

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메모리 통합 회로 MT29F4G08ABBDAH4-ITX:D

메모리 통합 회로 MT29F4G08ABBDAH4-ITX:D

기술 ::	플래시 - NAND
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
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메모리 통합 회로 MT29F2G08ABBEAH4-ITX:E

메모리 통합 회로 MT29F2G08ABBEAH4-ITX:E

기술 ::	플래시 - NAND
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
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메모리 통합 회로 MT29F1G16ABBEAH4-ITX:E

메모리 통합 회로 MT29F1G16ABBEAH4-ITX:E

기술 ::	플래시 - NAND
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
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메모리 통합 회로 MT29F1G08ABAEAWP-ITX:E

메모리 통합 회로 MT29F1G08ABAEAWP-ITX:E

기술 ::	플래시 - NAND
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
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메모리 통합 회로 MT48LC8M16A2F4-75:G TR

메모리 통합 회로 MT48LC8M16A2F4-75:G TR

기술 ::	SDRAM
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	15 나노 초

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메모리 통합 회로 MT29F1G01AAADDH4-ITX:D

메모리 통합 회로 MT29F1G01AAADDH4-ITX:D

기술 ::	플래시 - NAND
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 MT47H32M16BN-25E IT:D TR

메모리 통합 회로 MT47H32M16BN-25E IT:D TR

기술 ::	SDRAM - DDR2
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	15 나노 초

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메모리 통합 회로 M29W640GL70NB6F TR

메모리 통합 회로 M29W640GL70NB6F TR

기술 ::	플래시 -도 또한
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	70 나노 초

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메모리 통합 회로 MT47H64M8B6-25E IT:D TR

메모리 통합 회로 MT47H64M8B6-25E IT:D TR

기술 ::	SDRAM - DDR2
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	15 나노 초

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메모리 통합 회로 M29W160ET7AZA6F TR

메모리 통합 회로 M29W160ET7AZA6F TR

기술 ::	플래시 -도 또한
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
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