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키워드 [ ic ] 시합 67658 상품.

메모리 통합 회로 MT41K512M8DA-107 AIT:P

메모리 통합 회로 MT41K512M8DA-107 AIT:P

기술 ::	SDRAM - DDR3L
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 MT41K256M16TW-107 AIT:P

메모리 통합 회로 MT41K256M16TW-107 AIT:P

기술 ::	SDRAM - DDR3L
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 MT46H32M16LFBF-5 IT:C

메모리 통합 회로 MT46H32M16LFBF-5 IT:C

기술 ::	SDRAM - 모바일 LPDDR
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	15 나노 초

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메모리 통합 회로 MT41K128M8DA-107:J

메모리 통합 회로 MT41K128M8DA-107:J

기술 ::	SDRAM - DDR3L
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 MT41K64M16TW-107 AIT:J TR

메모리 통합 회로 MT41K64M16TW-107 AIT:J TR

기술 ::	SDRAM - DDR3L
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 MT28EW256ABA1LJS-0SIT

메모리 통합 회로 MT28EW256ABA1LJS-0SIT

기술 ::	플래시 -도 또한
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	60 나노 초

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메모리 통합 회로 MT29F2G08ABAEAWP-IT:E TR

메모리 통합 회로 MT29F2G08ABAEAWP-IT:E TR

기술 ::	플래시 - NAND
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 MT25QL256ABA8E12-1SIT

메모리 통합 회로 MT25QL256ABA8E12-1SIT

기술 ::	플래시 -도 또한
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	8명의 부인 콤마 2.8 부인

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메모리 통합 회로 MT29F2G01ABAGDWB-IT:G TR

메모리 통합 회로 MT29F2G01ABAGDWB-IT:G TR

기술 ::	플래시 - NAND
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 MT29F16G08AJADAWP-IT:D

메모리 통합 회로 MT29F16G08AJADAWP-IT:D

기술 ::	플래시 - NAND
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 MT49H16M18SJ-25:B TR

메모리 통합 회로 MT49H16M18SJ-25:B TR

기술 ::	DRAM
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 EDB4064B4PB-1DIT-F-R

메모리 통합 회로 EDB4064B4PB-1DIT-F-R

기술 ::	SDRAM - 모바일 LPDDR2
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 MT46H64M32LFBQ-48 AIT:C TR

메모리 통합 회로 MT46H64M32LFBQ-48 AIT:C TR

기술 ::	SDRAM - 모바일 LPDDR
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	14.4ns

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메모리 통합 회로 MTFC4GLGDM-AIT Z TR

메모리 통합 회로 MTFC4GLGDM-AIT Z TR

기술 ::	플래시 - NAND
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 MT46H128M16LFDD-48 WT:C TR

메모리 통합 회로 MT46H128M16LFDD-48 WT:C TR

기술 ::	SDRAM - 모바일 LPDDR
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	14.4ns

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