IC 집적 회로 EFR32FG25B211F1920IM56 비 QFN-56 무선 전신 & ; RF 집적 회로
| 엠에프르. #: | EFR32FG25B211F1920IM56 비 |
|---|---|
| 엠에프르.: | 실리콘 실험실 |
| 기술: | RF 시스템 온 칩 - SoC FG25, 서브 기가헤르츠, 1920kB 플래시, 512kB RAM, FSK / O-QPSK, 안전한 지하실 높은 것, +125C, QFN56 |
| 공장 준비 시간: | 26 주 |
| 엠에프르. #: | EFR32FG25B211F1920IM56 비 |
|---|---|
| 엠에프르.: | 실리콘 실험실 |
| 기술: | RF 시스템 온 칩 - SoC FG25, 서브 기가헤르츠, 1920kB 플래시, 512kB RAM, FSK / O-QPSK, 안전한 지하실 높은 것, +125C, QFN56 |
| 공장 준비 시간: | 26 주 |
| 엠에프르. #: | EFR32FG25B212F1920IM56 비 |
|---|---|
| 엠에프르.: | 실리콘 실험실 |
| 기술: | RF 시스템 온 칩 - SoC FG25, 서브 기가헤르츠, 1920kB 플래시, 512kB RAM, FSK / O-QPSK, HFCLKOUT, 안전한 지하실 높은 것, +125C, |
| 공장 준비 시간: | 26 주 |
| 엠에프르. #: | EFR32FG25B222F1920IM56 비 |
|---|---|
| 엠에프르.: | 실리콘 실험실 |
| 기술: | RF 시스템 온 칩 - SoC FG25, 서브 기가헤르츠, 1920kB 플래시, 512kB RAM, FSK / O-QPSK / OFDM, HFCLKOUT, 안전한 지하실 높은 것, |
| 공장 준비 시간: | 26 주 |
| 엠에프르. #: | EFR32FG25A221F1920IM56 비 |
|---|---|
| 엠에프르.: | 실리콘 실험실 |
| 기술: | RF 시스템 온 칩 - SoC FG25, 서브 기가헤르츠, 1920kB 플래시, 512kB RAM, FSK / O-QPSK / OFDM, +125C, QFN56 |
| 공장 준비 시간: | 26 주 |
| 엠에프르. #: | EFR32FG25B211F1920IM56 비 |
|---|---|
| 엠에프르.: | 실리콘 실험실 |
| 기술: | RF 시스템 온 칩 - SoC FG25, 서브 기가헤르츠, 1920kB 플래시, 512kB RAM, FSK / O-QPSK, 안전한 지하실 높은 것, +125C, QFN56 |
| 공장 준비 시간: | 26 주 |
| 엠에프르. #: | EFR32FG25B212F1920IM56 비 |
|---|---|
| 엠에프르.: | 실리콘 실험실 |
| 기술: | RF 시스템 온 칩 - SoC FG25, 서브 기가헤르츠, 1920kB 플래시, 512kB RAM, FSK / O-QPSK, HFCLKOUT, 안전한 지하실 높은 것, +125C, |
| 공장 준비 시간: | 26 주 |
| ROHS: | 납프리 |
|---|---|
| 증가하는 방식: | SMD / SMT |
| 패키지: | BGA-388 |
| 양 공장 팩: | 200 |
| 제품 종류: | 마이크로프로세서 |
| 엠에프르. #: | WBZ451UE-I |
|---|---|
| 엠에프르.: | 마이크로칩 테크놀로지 |
| 기술: | RF 시스템 온 칩 - SoC BLE 다중 프로토콜 모듈, 차폐, U.FL 안테나, 산업용 온도 |
| 공장 준비 시간: | 8 주 |
| ROHS: | 납프리 |
|---|---|
| 증가하는 방식: | SMD / SMT |
| 패키지: | BGA-516 |
| 양 공장 팩: | 3000 |
| 제품 종류: | 32-비트 마이크로컨트롤러 |
| ROHS: | 납프리 |
|---|---|
| 증가하는 방식: | SMD / SMT |
| 패키지: | TQFP-144 |
| 양 공장 팩: | 1000 |
| 제품 종류: | 32-비트 마이크로컨트롤러 |
