IC 통합 회로 ADG508FBRWZ-REEL
패키징하는 것 :: | 테이프 & ; 릴 (TR) |
---|---|
상품 카테고리 :: | 멀티플렉서 스위치 IC |
채널 간 일치(ΔRon):: | 8.1옴 |
스위치 시간(Ton, Toff)(최대):: | 230ns, 130ns |
전류 - 누설(IS(off))(최대):: | 1nA |
패키징하는 것 :: | 테이프 & ; 릴 (TR) |
---|---|
상품 카테고리 :: | 멀티플렉서 스위치 IC |
채널 간 일치(ΔRon):: | 8.1옴 |
스위치 시간(Ton, Toff)(최대):: | 230ns, 130ns |
전류 - 누설(IS(off))(최대):: | 1nA |
패키징하는 것 :: | 테이프 & ; 릴 (TR) |
---|---|
상품 카테고리 :: | 멀티플렉서 스위치 IC |
채널 간 일치(ΔRon):: | 8.1옴 |
스위치 시간(Ton, Toff)(최대):: | 230ns, 130ns |
전류 - 누설(IS(off))(최대):: | 500pA |
패키징하는 것 :: | 투브 |
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상품 카테고리 :: | 멀티플렉서 스위치 IC |
채널 간 일치(ΔRon):: | - |
스위치 시간(Ton, Toff)(최대):: | 11 나노 초, 6 나노 초 (Typ) |
전류 - 누설(IS(off))(최대):: | 100pA |
패키징하는 것 :: | 테이프 & ; 릴 (TR) |
---|---|
상품 카테고리 :: | 멀티플렉서 스위치 IC |
채널 간 일치(ΔRon):: | - |
스위치 시간(Ton, Toff)(최대):: | 11 나노 초, 6 나노 초 (Typ) |
전류 - 누설(IS(off))(최대):: | 100pA |
패키징하는 것 :: | 투브 |
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상품 카테고리 :: | 멀티플렉서 스위치 IC |
채널 간 일치(ΔRon):: | 5옴(최대) |
스위치 시간(Ton, Toff)(최대):: | 75 나노 초, 45 나노 초 |
전류 - 누설(IS(off))(최대):: | 500pA |
샘플링 속도(초당):: | 200k |
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상품 카테고리 :: | 아날로그-디지털 변환기 - ADC |
특징 :: | - |
비율 - S/H:ADC:: | 1:01 |
입력 유형:: | 의사 차동 |
샘플링 속도(초당):: | 200k |
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상품 카테고리 :: | 아날로그-디지털 변환기 - ADC |
특징 :: | - |
비율 - S/H:ADC:: | 1:01 |
입력 유형:: | 의사 차동 |
이득 대역폭 곱:: | - |
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상품 카테고리 :: | 작동중인 증폭기 - 연산 증폭기 |
증폭기 유형:: | J-FET |
슬루율:: | 2.8V/μs |
공급자 소자 패키지 :: | 16-SOIC |
상품 카테고리 :: | 게이트 드라이버 |
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상승/하강 시간(일반):: | 18 나노 초, 18 나노 초 |
전압 - 공급 :: | 7.5V ~ 35V |
@ qty :: | 0 |
증가하는 타입 :: | 표면 마운트 |
상품 카테고리 :: | 게이트 드라이버 |
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상승/하강 시간(일반):: | 18 나노 초, 18 나노 초 |
전압 - 공급 :: | 7.5V ~ 35V |
@ qty :: | 0 |
증가하는 타입 :: | 표면 마운트 |
상품 카테고리 :: | 게이트 드라이버 |
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상승/하강 시간(일반):: | 18 나노 초, 18 나노 초 |
전압 - 공급 :: | 4.5 V ~ 35 V |
@ qty :: | 0 |
증가하는 타입 :: | 표면 마운트 |
상품 카테고리 :: | 게이트 드라이버 |
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상승/하강 시간(일반):: | 18 나노 초, 18 나노 초 |
전압 - 공급 :: | 4.5 V ~ 35 V |
@ qty :: | 0 |
증가하는 타입 :: | 표면 마운트 |
상품 카테고리 :: | 전압 기준 |
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전압 - 입력 :: | 10.8V ~ 36V |
@ qty :: | 0 |
증가하는 타입 :: | 표면 마운트 |
참조 유형:: | 시리즈 |
상품 카테고리 :: | 전압 기준 |
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전압 - 입력 :: | 10.8V ~ 36V |
@ qty :: | 0 |
증가하는 타입 :: | 표면 마운트 |
참조 유형:: | 시리즈 |