IC 통합 회로 AD8139ARDZ
| 이득 대역폭 곱:: | - |
|---|---|
| 상품 카테고리 :: | 작동중인 증폭기 - 연산 증폭기 |
| 증폭기 유형:: | 차이 |
| 슬루율:: | 800V/μs |
| 공급자 소자 패키지 :: | 8 SOIC-EP |
| 이득 대역폭 곱:: | - |
|---|---|
| 상품 카테고리 :: | 작동중인 증폭기 - 연산 증폭기 |
| 증폭기 유형:: | 차이 |
| 슬루율:: | 800V/μs |
| 공급자 소자 패키지 :: | 8 SOIC-EP |
| 상품 카테고리 :: | 게이트 드라이버 |
|---|---|
| 상승/하강 시간(일반):: | 20 나노 초, 20 나노 초 |
| 전압 - 공급 :: | 3V ~ 5.5V, 4.5V ~ 18V |
| @ qty :: | 0 |
| 증가하는 타입 :: | 표면 마운트 |
| 상품 카테고리 :: | 게이트 드라이버 |
|---|---|
| 상승/하강 시간(일반):: | 20 나노 초, 20 나노 초 |
| 전압 - 공급 :: | 3V ~ 5.5V, 4.5V ~ 18V |
| @ qty :: | 0 |
| 증가하는 타입 :: | 표면 마운트 |
| 상품 카테고리 :: | 게이트 드라이버 |
|---|---|
| 상승/하강 시간(일반):: | 18 나노 초, 18 나노 초 |
| 전압 - 공급 :: | 4.5 Ｖ ~ 35 Ｖ |
| @ qty :: | 0 |
| 증가하는 타입 :: | 표면 마운트 |
| 상품 카테고리 :: | 게이트 드라이버 |
|---|---|
| 상승/하강 시간(일반):: | 20 나노 초, 20 나노 초 |
| 전압 - 공급 :: | 4.5V ~ 18V |
| @ qty :: | 0 |
| 증가하는 타입 :: | 표면 마운트 |
| 상품 카테고리 :: | 게이트 드라이버 |
|---|---|
| 상승/하강 시간(일반):: | 12 나노 초, 12 나노 초 |
| 전압 - 공급 :: | 7.4V ~ 18V |
| @ qty :: | 0 |
| 증가하는 타입 :: | 표면 마운트 |
| 상품 카테고리 :: | 게이트 드라이버 |
|---|---|
| 상승/하강 시간(일반):: | 20 나노 초, 20 나노 초 |
| 전압 - 공급 :: | 4.5V ~ 18V |
| @ qty :: | 0 |
| 증가하는 타입 :: | 표면 마운트 |
| 상품 카테고리 :: | 게이트 드라이버 |
|---|---|
| 상승/하강 시간(일반):: | 20 나노 초, 20 나노 초 |
| 전압 - 공급 :: | 7.6V ~ 18V |
| @ qty :: | 0 |
| 증가하는 타입 :: | 표면 마운트 |
| 상품 카테고리 :: | 게이트 드라이버 |
|---|---|
| 상승/하강 시간(일반):: | 20 나노 초, 20 나노 초 |
| 전압 - 공급 :: | 4.5V ~ 18V |
| @ qty :: | 0 |
| 증가하는 타입 :: | 표면 마운트 |
| 상품 카테고리 :: | 게이트 드라이버 |
|---|---|
| 상승/하강 시간(일반):: | 20 나노 초, 20 나노 초 |
| 전압 - 공급 :: | 3V ~ 5.5V, 4.5V ~ 18V |
| @ qty :: | 0 |
| 증가하는 타입 :: | 표면 마운트 |
| 상품 카테고리 :: | 게이트 드라이버 |
|---|---|
| 상승/하강 시간(일반):: | 12 나노 초, 12 나노 초 |
| 전압 - 공급 :: | 11.1V ~ 18V |
| @ qty :: | 0 |
| 증가하는 타입 :: | 표면 마운트 |
| 상품 카테고리 :: | 게이트 드라이버 |
|---|---|
| 상승/하강 시간(일반):: | 20 나노 초, 20 나노 초 |
| 전압 - 공급 :: | 7.6V ~ 18V |
| @ qty :: | 0 |
| 증가하는 타입 :: | 표면 마운트 |
| 상품 카테고리 :: | 게이트 드라이버 |
|---|---|
| 하이사이드 전압 - 최대(부트스트랩):: | - |
| 상승/하강 시간(일반):: | 20ns, 16ns |
| 논리 전압 - VIL, VIH:: | 0.8V, 2V |
| 전압 - 공급 :: | 4.15V ~ 13.2V |
| 상품 카테고리 :: | 게이트 드라이버 |
|---|---|
| 하이사이드 전압 - 최대(부트스트랩):: | - |
| 상승/하강 시간(일반):: | 10 나노 초, 10 나노 초 |
| 논리 전압 - VIL, VIH:: | 0.8V, 2V |
| 전압 - 공급 :: | 9.5V ~ 18V |
| 상품 카테고리 :: | 게이트 드라이버 |
|---|---|
| 하이사이드 전압 - 최대(부트스트랩):: | - |
| 상승/하강 시간(일반):: | 10 나노 초, 10 나노 초 |
| 논리 전압 - VIL, VIH:: | 0.8V, 2V |
| 전압 - 공급 :: | 9.5V ~ 18V |
