IC 통합 회로 APT40DQ120SG
| 분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 정류기 단일 다이오드 |
|---|---|
| 제품 상태: | 액티브 |
| 경향 - Vr에 있는 역누출: | 1200V에서 100μA |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| 전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 3.4V @ 40A |
| 분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 정류기 단일 다이오드 |
|---|---|
| 제품 상태: | 액티브 |
| 경향 - Vr에 있는 역누출: | 1200V에서 100μA |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| 전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 3.4V @ 40A |
| 분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 정류기 단일 다이오드 |
|---|---|
| 제품 상태: | 액티브 |
| 경향 - Vr에 있는 역누출: | 1000V에서 250μA |
| 장착형: | 구멍을 통해 |
| 전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 2.3V @ 30A |
| 분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 정류기 단일 다이오드 |
|---|---|
| 제품 상태: | 액티브 |
| 경향 - Vr에 있는 역누출: | 100nA @ 175V |
| 장착형: | 구멍을 통해 |
| 전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1V @ 100mA |
| 분류: | 융합 회로 (IC) 기억력 기억력 |
|---|---|
| 메모리 용량: | 8Kbit |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| 패키지: | 테이프 & 롤 (TR) |
| 분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 정류기 단일 다이오드 |
|---|---|
| 제품 상태: | 액티브 |
| 경향 - Vr에 있는 역누출: | 1000V에서 100μA |
| 장착형: | 구멍을 통해 |
| 전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 3V @ 60A |
| 분류: | 융합 회로 (IC) 기억력 기억력 |
|---|---|
| 메모리 용량: | 16Kbit |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| 패키지: | 테이프 & 롤 (TR) |
| 분류: | 융합 회로 (IC) 기억력 기억력 |
|---|---|
| 메모리 용량: | 8Mbit |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| 패키지: | 테이프 & 롤 (TR) |
| 분류: | 융합 회로 (IC) 기억력 기억력 |
|---|---|
| 메모리 용량: | 256Kbit |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| 패키지: | 테이프 & 롤 (TR) |
| 분류: | 융합 회로 (IC) 기억력 기억력 |
|---|---|
| 메모리 용량: | 8Kbit |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| 패키지: | 테이프 & 롤 (TR) |
| 분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 정류기 단일 다이오드 |
|---|---|
| 제품 상태: | 액티브 |
| 경향 - Vr에 있는 역누출: | 150V에서 2μA |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| 전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 975mV @ 2A |
| 분류: | 융합 회로 (IC) 기억력 기억력 |
|---|---|
| 메모리 용량: | 256Kbit |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| 패키지: | 테이프 & 롤 (TR) |
| 분류: | 융합 회로 (IC) 기억력 기억력 |
|---|---|
| 메모리 용량: | 64Kbit |
| 제품 상태: | 구식 |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| 패키지: | 테이프 & 롤 (TR) 절단 테이프 (CT) 디기 릴® |
