IC 통합 회로 25AA160DT-I/MS
분류: | 융합 회로 (IC) 기억력 기억력 |
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메모리 용량: | 16Kbit |
제품 상태: | 액티브 |
장착형: | 표면 마운트 |
패키지: | 테이프 & 롤 (TR) |
분류: | 융합 회로 (IC) 기억력 기억력 |
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메모리 용량: | 16Kbit |
제품 상태: | 액티브 |
장착형: | 표면 마운트 |
패키지: | 테이프 & 롤 (TR) |
분류: | 융합 회로 (IC) 기억력 기억력 |
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메모리 용량: | 16Kbit |
제품 상태: | 액티브 |
장착형: | 표면 마운트 |
패키지: | 테이프 & 롤 (TR) |
분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 정류기 단일 다이오드 |
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제품 상태: | 액티브 |
경향 - Vr에 있는 역누출: | 100μA @ 40V |
장착형: | 표면 마운트 |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 3 A에 있는 500 mV |
분류: | 융합 회로 (IC) 기억력 기억력 |
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메모리 용량: | 16Kbit |
제품 상태: | 액티브 |
장착형: | 표면 마운트 |
패키지: | 테이프 & 롤 (TR) 절단 테이프 (CT) 디기 릴® |
분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 정류기 단일 다이오드 |
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제품 상태: | 액티브 |
경향 - Vr에 있는 역누출: | 600V에서 1μA |
장착형: | 구멍을 통해 |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.2V @ 9A |
분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 정류기 단일 다이오드 |
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제품 상태: | 액티브 |
경향 - Vr에 있는 역누출: | 500nA @ 200V |
장착형: | 구멍을 통해 |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.6V @ 3A |
분류: | 융합 회로 (IC) 기억력 기억력 |
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메모리 용량: | 8Kbit |
제품 상태: | 액티브 |
장착형: | 표면 마운트 |
패키지: | 테이프 & 롤 (TR) |
분류: | 융합 회로 (IC) 기억력 기억력 |
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메모리 용량: | 8Kbit |
제품 상태: | 액티브 |
장착형: | 표면 마운트 |
패키지: | 테이프 & 롤 (TR) |
분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 정류기 단일 다이오드 |
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제품 상태: | 액티브 |
경향 - Vr에 있는 역누출: | 400μA @ 40V |
장착형: | 표면 마운트 |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 450mV @ 1A |
분류: | 융합 회로 (IC) 기억력 기억력 |
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메모리 용량: | 16Kbit |
제품 상태: | 액티브 |
장착형: | 표면 마운트 |
패키지: | 테이프 & 롤 (TR) |