IC 통합 회로 93C66A-E/MS
| 분류: | 융합 회로 (IC) 기억력 기억력 |
|---|---|
| 메모리 용량: | 4Kbit |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| 패키지: | 튜브 |
| 분류: | 융합 회로 (IC) 기억력 기억력 |
|---|---|
| 메모리 용량: | 2Kbit |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| 패키지: | 테이프 & 롤 (TR) |
| 분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 정류기 단일 다이오드 |
|---|---|
| 제품 상태: | 액티브 |
| 경향 - Vr에 있는 역누출: | 100 Ｖ에 있는 1 uA |
| 장착형: | 구멍을 통해 |
| 전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 875mV @ 1A |
| 분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 정류기 단일 다이오드 |
|---|---|
| 제품 상태: | 액티브 |
| 경향 - Vr에 있는 역누출: | 125V에서 1nA |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| 전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1V @ 200mA |
| 분류: | 융합 회로 (IC) 기억력 기억력 |
|---|---|
| 메모리 용량: | 2Kbit |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| 패키지: | 테이프 & 롤 (TR) |
| 분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 정류기 단일 다이오드 |
|---|---|
| 제품 상태: | 액티브 |
| 경향 - Vr에 있는 역누출: | 100μA @ 30V |
| 장착형: | 구멍을 통해 |
| 전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 600mV @ 1A |
| 분류: | 융합 회로 (IC) 기억력 기억력 |
|---|---|
| 메모리 용량: | 32Kbit |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| 패키지: | 테이프 & 롤 (TR) |
| 분류: | 융합 회로 (IC) 기억력 기억력 |
|---|---|
| 메모리 용량: | 4Kbit |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| 패키지: | 테이프 & 롤 (TR) |
| 분류: | 융합 회로 (IC) 기억력 기억력 |
|---|---|
| 메모리 용량: | 4Kbit |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| 패키지: | 테이프 & 롤 (TR) |
