IC 통합 회로 93LC66A-I/P
| 분류: | 융합 회로 (IC) 기억력 기억력 |
|---|---|
| 메모리 용량: | 4Kbit |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 구멍을 통해 |
| 패키지: | 튜브 |
| 분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 제너 단일 제너 다이오드 |
|---|---|
| 제품 상태: | 액티브 |
| 경향 - Vr에 있는 역누출: | 50nA @ 9.87V |
| 전압 - 제너 (Nom) (프즈): | 13 Ｖ |
| 전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.1V @ 200mA |
| 분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 제너 단일 제너 다이오드 |
|---|---|
| 제품 상태: | 액티브 |
| 경향 - Vr에 있는 역누출: | 33.8V에서 500nA |
| 전압 - 제너 (Nom) (프즈): | 47 Ｖ |
| 전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.2V @ 1A |
| 분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 제너 단일 제너 다이오드 |
|---|---|
| 제품 상태: | 액티브 |
| 경향 - Vr에 있는 역누출: | 50nA @ 9.12V |
| 전압 - 제너 (Nom) (프즈): | 12 Ｖ |
| 전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.1V @ 200mA |
| 분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 제너 단일 제너 다이오드 |
|---|---|
| 제품 상태: | 액티브 |
| 경향 - Vr에 있는 역누출: | 500nA @ 21.6V |
| 전압 - 제너 (Nom) (프즈): | 30V |
| 전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.2V @ 1A |
| 분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 제너 단일 제너 다이오드 |
|---|---|
| 제품 상태: | 액티브 |
| 경향 - Vr에 있는 역누출: | 500nA @ 13.7V |
| 전압 - 제너 (Nom) (프즈): | 19 Ｖ |
| 전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.2V @ 1A |
