IC 통합 회로 1PMT5954CE3/TR7
분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 제너 단일 제너 다이오드 |
---|---|
제품 상태: | 액티브 |
경향 - Vr에 있는 역누출: | 121.6V에서 1μA |
전압 - 제너 (Nom) (프즈): | 160V |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.2V @ 200mA |
분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 제너 단일 제너 다이오드 |
---|---|
제품 상태: | 액티브 |
경향 - Vr에 있는 역누출: | 121.6V에서 1μA |
전압 - 제너 (Nom) (프즈): | 160V |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.2V @ 200mA |
분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 제너 단일 제너 다이오드 |
---|---|
제품 상태: | 액티브 |
경향 - Vr에 있는 역누출: | 114V에서 1μA |
전압 - 제너 (Nom) (프즈): | 150 V |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.2V @ 200mA |
분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 제너 단일 제너 다이오드 |
---|---|
제품 상태: | 액티브 |
경향 - Vr에 있는 역누출: | 10μA @ 1V |
전압 - 제너 (Nom) (프즈): | 4.7 V |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.2V @ 200mA |
분류: | 융합 회로 (IC) 기억력 기억력 |
---|---|
메모리 용량: | 1Kbit |
제품 상태: | 액티브 |
장착형: | 표면 마운트 |
패키지: | 테이프 & 롤 (TR) 절단 테이프 (CT) 디기 릴® |
분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 제너 단일 제너 다이오드 |
---|---|
제품 상태: | 액티브 |
경향 - Vr에 있는 역누출: | 98.8V에서 1μA |
전압 - 제너 (Nom) (프즈): | 130V |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.2V @ 200mA |
분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 제너 단일 제너 다이오드 |
---|---|
제품 상태: | 액티브 |
경향 - Vr에 있는 역누출: | 50μA @ 1V |
전압 - 제너 (Nom) (프즈): | 3.9 V |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.2V @ 200mA |
분류: | 융합 회로 (IC) 기억력 기억력 |
---|---|
메모리 용량: | 4Kbit |
제품 상태: | 액티브 |
장착형: | 표면 마운트 |
패키지: | 테이프 & 롤 (TR) |
분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 제너 단일 제너 다이오드 |
---|---|
제품 상태: | 액티브 |
경향 - Vr에 있는 역누출: | 91.2V에서 1μA |
전압 - 제너 (Nom) (프즈): | 120 V |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.2V @ 200mA |
분류: | 융합 회로 (IC) 기억력 기억력 |
---|---|
메모리 용량: | 4Kbit |
제품 상태: | 액티브 |
장착형: | 표면 마운트 |
패키지: | 테이프 & 롤 (TR) |
분류: | 융합 회로 (IC) 기억력 기억력 |
---|---|
메모리 용량: | 4Kbit |
제품 상태: | 액티브 |
장착형: | 표면 마운트 |
패키지: | 테이프 & 롤 (TR) |
분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 제너 단일 제너 다이오드 |
---|---|
제품 상태: | 액티브 |
경향 - Vr에 있는 역누출: | 76V에서 1μA |
전압 - 제너 (Nom) (프즈): | 100 V |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.2V @ 200mA |
분류: | 융합 회로 (IC) 기억력 기억력 |
---|---|
메모리 용량: | 4Kbit |
제품 상태: | 액티브 |
장착형: | 표면 마운트 |
패키지: | 테이프 & 롤 (TR) |