IC 집적 회로 LFE5UM5G-45F-8MG285C CSFBGA-285 프로그래머블 로직 ICs
엠에프르. #: | LFE5UM5G-45F-8MG285C |
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엠에프르.: | 레티스 |
기술: | FPGA - 필드 프로그래밍 가능 게이트 어레이 래티스 ECP5-5G; 43.8K LUT 1.2V; 5G 서비스 |
공장 준비 시간: | 53 주 |
엠에프르. #: | LFE5UM5G-45F-8MG285C |
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엠에프르.: | 레티스 |
기술: | FPGA - 필드 프로그래밍 가능 게이트 어레이 래티스 ECP5-5G; 43.8K LUT 1.2V; 5G 서비스 |
공장 준비 시간: | 53 주 |
엠에프르. #: | LFE5U-45F-6BG381I |
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엠에프르.: | 레티스 |
기술: | FPGA - 필드 프로그래밍 가능 게이트 어레이 ECP5 FPGA 44K LUT, 381 caBGA |
공장 준비 시간: | 53 주 |
엠에프르. #: | 10AX027E4F29I3SG |
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엠에프르.: | 인텔 / 알테라 |
기술: | FPGA - 필드 프로그래밍 가능 게이트 어레이 Arria 10 GX 270 FPGA |
운송 경보: | 이 제품은 추가적 문서가 미국으로부터 수출하도록 요구할 수 있습니다. |
공장 준비 시간: | 10 주 |
엠에프르. #: | GW1N-LV4QN88A4 |
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엠에프르.: | 고윈반도체 |
기술: | FPGA - 필드 프로그래머블 게이트 어레이 |
공장 준비 시간: | 7 주 |
엠에프르. #: | GW1N-UV4QN32C6/I5 |
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엠에프르.: | 고윈반도체 |
기술: | FPGA - 필드 프로그래머블 게이트 어레이 |
공장 준비 시간: | 9 주 |
엠에프르. #: | GW1N-UV9QN88C6/I5 |
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엠에프르.: | 고윈반도체 |
기술: | FPGA - 필드 프로그래머블 게이트 어레이 |
공장 준비 시간: | 11 주 |
엠에프르. #: | A54SX08A-TQG100I |
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엠에프르.: | 마이크로칩 테크놀로지 |
기술: | FPGA - 필드 프로그래밍 가능 게이트 어레이 A54SX08A-TQG100I 무연 |
공장 준비 시간: | 9 주 |
엠에프르. #: | GW1N-LV9LQ144C6/I5 |
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엠에프르.: | 고윈반도체 |
기술: | FPGA - 필드 프로그래머블 게이트 어레이 |
공장 준비 시간: | 4 주 |
엠에프르. #: | GW1N-UV9QN48C6/I5 |
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엠에프르.: | 고윈반도체 |
기술: | FPGA - 필드 프로그래머블 게이트 어레이 |
공장 준비 시간: | 4 주 |
엠에프르. #: | A42MX24-PQG208I |
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엠에프르.: | 마이크로칩 테크놀로지 |
기술: | FPGA - 필드 프로그래밍 가능 게이트 어레이 A42MX24-PQG208I 무연 |
공장 준비 시간: | 12 주 |
엠에프르. #: | GW1N-LV9PG256C6/I5 |
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엠에프르.: | 고윈반도체 |
기술: | FPGA - 필드 프로그래머블 게이트 어레이 |
공장 준비 시간: | 5주 |
엠에프르. #: | GW1N-UV4PG256C6/I5 |
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엠에프르.: | 고윈반도체 |
기술: | FPGA - 필드 프로그래머블 게이트 어레이 |
공장 준비 시간: | 10 주 |
엠에프르. #: | GW1N-UV9UG169C6/I5 |
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엠에프르.: | 고윈반도체 |
기술: | FPGA - 필드 프로그래머블 게이트 어레이 |
공장 준비 시간: | 주 |
엠에프르. #: | GW1N-LV9QN48C6/I5 |
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엠에프르.: | 고윈반도체 |
기술: | FPGA - 필드 프로그래머블 게이트 어레이 |
공장 준비 시간: | 11 주 |
엠에프르. #: | GW1N-LV1QN32C6/I5 |
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엠에프르.: | 고윈반도체 |
기술: | FPGA - 필드 프로그래머블 게이트 어레이 |
공장 준비 시간: | 4 주 |