IC 통합 회로 2N5115UB/TR
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 JFET |
|---|---|
| FET은 타이핑합니다: | P-채널 |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 전압 - 고장 (V(BR)GSS): | 30V |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 JFET |
|---|---|
| FET은 타이핑합니다: | P-채널 |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 전압 - 고장 (V(BR)GSS): | 30V |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 JFET |
|---|---|
| FET은 타이핑합니다: | 엔-채널 |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 전압 - 고장 (V(BR)GSS): | 40 Ｖ |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 JFET |
|---|---|
| FET은 타이핑합니다: | 엔-채널 |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 전압 - 고장 (V(BR)GSS): | 30V |
| 장착형: | 구멍을 통해 |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 JFET |
|---|---|
| FET은 타이핑합니다: | 엔-채널 |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 전압 - 고장 (V(BR)GSS): | 40 Ｖ |
| 장착형: | 구멍을 통해 |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 JFET |
|---|---|
| FET은 타이핑합니다: | 엔-채널 |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 전압 - 고장 (V(BR)GSS): | 40 Ｖ |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 JFET |
|---|---|
| FET은 타이핑합니다: | 엔-채널 |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 전압 - 고장 (V(BR)GSS): | 40 Ｖ |
| 장착형: | 구멍을 통해 |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 JFET |
|---|---|
| FET은 타이핑합니다: | 엔-채널 |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 전압 - 고장 (V(BR)GSS): | 40 Ｖ |
| 장착형: | 구멍을 통해 |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 JFET |
|---|---|
| FET은 타이핑합니다: | 엔-채널 |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 전압 - 고장 (V(BR)GSS): | 40 Ｖ |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 JFET |
|---|---|
| FET은 타이핑합니다: | P-채널 |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 전압 - 고장 (V(BR)GSS): | 30V |
| 장착형: | 구멍을 통해 |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 JFET |
|---|---|
| FET은 타이핑합니다: | P-채널 |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 전압 - 고장 (V(BR)GSS): | 30V |
| 장착형: | 구멍을 통해 |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 JFET |
|---|---|
| FET은 타이핑합니다: | P-채널 |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 전압 - 고장 (V(BR)GSS): | 30V |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 JFET |
|---|---|
| FET은 타이핑합니다: | P-채널 |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 전압 - 고장 (V(BR)GSS): | 30V |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 JFET |
|---|---|
| FET은 타이핑합니다: | P-채널 |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 전압 - 고장 (V(BR)GSS): | 30V |
| 장착형: | 구멍을 통해 |
