IC 통합 회로 JANTXV2N5796U/TR
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 양극성(BJT) 양극성 트랜지스터 어레이 |
|---|---|
| 경향 - 수집기 (Ic) (맥스): | 600mA |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 트랜지스터형: | 2 PNP(이중) |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 양극성(BJT) 양극성 트랜지스터 어레이 |
|---|---|
| 경향 - 수집기 (Ic) (맥스): | 600mA |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 트랜지스터형: | 2 PNP(이중) |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 양극성(BJT) 양극성 트랜지스터 어레이 |
|---|---|
| 경향 - 수집기 (Ic) (맥스): | 600mA |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 트랜지스터형: | 4 PNP(쿼드) |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 양극성(BJT) 양극성 트랜지스터 어레이 |
|---|---|
| 경향 - 수집기 (Ic) (맥스): | 50mA |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 트랜지스터형: | 2 PNP(이중) |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 양극성(BJT) 양극성 트랜지스터 어레이 |
|---|---|
| 경향 - 수집기 (Ic) (맥스): | 600mA |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 트랜지스터형: | 2 PNP(이중) |
| 장착형: | 구멍을 통해 |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 양극성(BJT) 양극성 트랜지스터 어레이 |
|---|---|
| 경향 - 수집기 (Ic) (맥스): | 800mA |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 트랜지스터형: | 4 NPN(쿼드) |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 양극성(BJT) 양극성 트랜지스터 어레이 |
|---|---|
| 경향 - 수집기 (Ic) (맥스): | 30mA |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 트랜지스터형: | (이원적인) 2 NPN |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 양극성(BJT) 양극성 트랜지스터 어레이 |
|---|---|
| 경향 - 수집기 (Ic) (맥스): | 600mA |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 트랜지스터형: | NPN, PNP |
| 장착형: | 구멍을 통해 |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 양극성(BJT) 양극성 트랜지스터 어레이 |
|---|---|
| 경향 - 수집기 (Ic) (맥스): | 50mA |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 트랜지스터형: | 2 PNP(이중) |
| 장착형: | 구멍을 통해 |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 양극성(BJT) 양극성 트랜지스터 어레이 |
|---|---|
| 경향 - 수집기 (Ic) (맥스): | 600mA |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 트랜지스터형: | 4 PNP(쿼드) |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 양극성(BJT) 양극성 트랜지스터 어레이 |
|---|---|
| 경향 - 수집기 (Ic) (맥스): | 600mA |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 트랜지스터형: | 2 PNP(이중) |
| 장착형: | 구멍을 통해 |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 양극성(BJT) 양극성 트랜지스터 어레이 |
|---|---|
| 경향 - 수집기 (Ic) (맥스): | 50mA |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 트랜지스터형: | 2 PNP(이중) |
| 장착형: | 구멍을 통해 |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 양극성(BJT) 양극성 트랜지스터 어레이 |
|---|---|
| 경향 - 수집기 (Ic) (맥스): | 30mA |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 트랜지스터형: | (이원적인) 2 NPN |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 양극성(BJT) 양극성 트랜지스터 어레이 |
|---|---|
| 경향 - 수집기 (Ic) (맥스): | 600mA |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 트랜지스터형: | (이원적인) 2 NPN |
| 장착형: | 구멍을 통해 |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 양극성(BJT) 양극성 트랜지스터 어레이 |
|---|---|
| 경향 - 수집기 (Ic) (맥스): | 600mA |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 트랜지스터형: | (이원적인) 2 NPN |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 양극성(BJT) 양극성 트랜지스터 어레이 |
|---|---|
| 경향 - 수집기 (Ic) (맥스): | 800mA |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 트랜지스터형: | 4 NPN(쿼드) |
| 장착형: | 표면 마운트 |
