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Shenzhen Zhongkaixin Micro Electronics Co., Ltd. 제품 소개

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좋은 가격 메모리 통합 회로 MT45W2MW16BGB-708 WT TR 온라인으로

메모리 통합 회로 MT45W2MW16BGB-708 WT TR

기술 ::	퍼슈도스태틱 메모리 (준에스램)
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
공장 재고 ::	0
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좋은 가격 메모리 통합 회로 MT46H32M16LFCK-6 TR 온라인으로

메모리 통합 회로 MT46H32M16LFCK-6 TR

기술 ::	SDRAM - 모바일 LPDDR
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
공장 재고 ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	15 나노 초

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좋은 가격 메모리 통합 회로 MT48H16M16LFBF-75:G TR 온라인으로

메모리 통합 회로 MT48H16M16LFBF-75:G TR

기술 ::	SDRAM - 모바일 LPSDR
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
공장 재고 ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	15 나노 초

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메모리 통합 회로 MT48H16M32LFCM-75:A TR

기술 ::	SDRAM - 모바일 LPSDR
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
공장 재고 ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	15 나노 초

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메모리 통합 회로 MT46H32M32LFCM-6:A TR

기술 ::	SDRAM - 모바일 LPDDR
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
공장 재고 ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	15 나노 초

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좋은 가격 메모리 통합 회로 MT46V16M16BG-6 IT:F TR 온라인으로

메모리 통합 회로 MT46V16M16BG-6 IT:F TR

기술 ::	SDRAM - DDR
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
공장 재고 ::	0
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좋은 가격 메모리 통합 회로 MT29F2G08AADWP:D TR 온라인으로

메모리 통합 회로 MT29F2G08AADWP:D TR

기술 ::	플래시 - NAND
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
공장 재고 ::	0
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메모리 통합 회로 MT29F2G16AADWP:D TR

기술 ::	플래시 - NAND
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
공장 재고 ::	0
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메모리 통합 회로 MT29F4G08AACWC:C TR

기술 ::	플래시 - NAND
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
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메모리 통합 회로 MT29F4G08ABCWC-ET:C TR

기술 ::	플래시 - NAND
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
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메모리 통합 회로 MT29F4G16ABCHC-ET:C TR

기술 ::	플래시 - NAND
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
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메모리 통합 회로 MT41J128M8HX-15E:D TR

기술 ::	SDRAM - DDR3
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
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메모리 통합 회로 MT46H16M32LFCM-6:B TR

기술 ::	SDRAM - 모바일 LPDDR
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
공장 재고 ::	0
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메모리 통합 회로 MT46H32M32LFCM-5:A TR

기술 ::	SDRAM - 모바일 LPDDR
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
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메모리 통합 회로 MT48H32M16LFBF-75 IT:B TR

기술 ::	SDRAM - 모바일 LPSDR
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
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