문자 보내
따옴표
korean
홈 /

Shenzhen Zhongkaixin Micro Electronics Co., Ltd. 제품 소개

제가 지금 온라인 채팅 해요
담당자 : Jack
WhatsApp : +8618813982051
좋은 가격 메모리 통합 회로 MT46V32M16FN-6:C TR 온라인으로

메모리 통합 회로 MT46V32M16FN-6:C TR

기술 :: SDRAM - DDR
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
공장 재고 :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 15 나노 초
지금 연락
좋은 가격 메모리 통합 회로 MT53D4DESB-DC 온라인으로

메모리 통합 회로 MT53D4DESB-DC

기술 :: -
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: -
공장 재고 :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: -
지금 연락
좋은 가격 메모리 통합 회로 M28W320FCB70N6E 온라인으로

메모리 통합 회로 M28W320FCB70N6E

기술 :: 플래시 -도 또한
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
공장 재고 :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 70 나노 초
지금 연락
좋은 가격 메모리 통합 회로 MT46V32M16FN-75 L:C TR 온라인으로

메모리 통합 회로 MT46V32M16FN-75 L:C TR

기술 :: SDRAM - DDR
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
공장 재고 :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 15 나노 초
지금 연락
좋은 가격 메모리 통합 회로 MT53D512M32D2NP-046 WT ES:E 온라인으로

메모리 통합 회로 MT53D512M32D2NP-046 WT ES:E

기술 :: SDRAM - 모바일 LPDDR4
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
공장 재고 :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: -
지금 연락
좋은 가격 메모리 통합 회로 MT29RZ2B2DZZHHTB-18W.88F TR 온라인으로

메모리 통합 회로 MT29RZ2B2DZZHHTB-18W.88F TR

기술 :: 플래시 - NAND, DRAM - LPDDR2
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
공장 재고 :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: -
지금 연락
좋은 가격 메모리 통합 회로 MT53D512M64D4NW-046 WT ES:E 온라인으로

메모리 통합 회로 MT53D512M64D4NW-046 WT ES:E

기술 :: SDRAM - 모바일 LPDDR4
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
공장 재고 :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: -
지금 연락
좋은 가격 메모리 통합 회로 MT29RZ4C4DZZMGMF-18W.80C TR 온라인으로

메모리 통합 회로 MT29RZ4C4DZZMGMF-18W.80C TR

기술 :: 플래시 - NAND, DRAM - LPDDR2
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
공장 재고 :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: -
지금 연락
좋은 가격 메모리 통합 회로 MT46V32M16P-5B:C TR 온라인으로

메모리 통합 회로 MT46V32M16P-5B:C TR

기술 :: SDRAM - DDR
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
공장 재고 :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 15 나노 초
지금 연락
좋은 가격 메모리 통합 회로 M28W320FCT70N6F TR 온라인으로

메모리 통합 회로 M28W320FCT70N6F TR

기술 :: 플래시 -도 또한
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
공장 재고 :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 70 나노 초
지금 연락
좋은 가격 메모리 통합 회로 MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E 온라인으로

메모리 통합 회로 MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E

기술 :: SDRAM - 모바일 LPDDR4
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
공장 재고 :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: -
지금 연락
좋은 가격 메모리 통합 회로 M28W640FCB70ZB6F TR 온라인으로

메모리 통합 회로 M28W640FCB70ZB6F TR

기술 :: 플래시 -도 또한
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
공장 재고 :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 70 나노 초
지금 연락
좋은 가격 메모리 통합 회로 MT29TZZZ5D6EKFRL-107 W.96R TR 온라인으로

메모리 통합 회로 MT29TZZZ5D6EKFRL-107 W.96R TR

기술 :: -
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: -
공장 재고 :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: -
지금 연락
좋은 가격 메모리 통합 회로 MT46V32M16P-75 IT:C TR 온라인으로

메모리 통합 회로 MT46V32M16P-75 IT:C TR

기술 :: SDRAM - DDR
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
공장 재고 :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 15 나노 초
지금 연락
좋은 가격 메모리 통합 회로 MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E 온라인으로

메모리 통합 회로 MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E

기술 :: SDRAM - 모바일 LPDDR4
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
공장 재고 :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: -
지금 연락
< 이전 3733 3734 3735 3736 3737 다음으로> 마지막 합계 5303 페이지
Shenzhen Zhongkaixin Micro Electronics Co., Ltd.
sales@zkxwic.com
9:30-18:30
86--18813982051 9:30-18:30
406-408호, 션팽 Ｃ 건물, 화첸그베이 거리, 푸톈 구, 센즈헨, 중국
우리에 대하여 상품 공장 여행 품질 관리 뉴스 사이트맵 사생활 보호 정책
메시지를 남기세요
중국 상등품 IC 집적 회로 공급자. 저작권 (c) 2023-2024 circuit-integrated.com . 무단 복제 금지.