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Shenzhen Zhongkaixin Micro Electronics Co., Ltd. 제품 소개

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기술 :: 플래시 -도 또한
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
공장 재고 :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 55 나노 초
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메모리 통합 회로 MT48LC16M16A2P-7E AIT:G

기술 :: SDRAM
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
공장 재고 :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 14ns
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기술 :: 플래시 -도 또한
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
공장 재고 :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 110 나노 초
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기술 :: SGRAM-GDDR5
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
공장 재고 :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: -
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기술 :: 플래시 -도 또한
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
공장 재고 :: 0
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기술 :: SDRAM - 모바일 LPDDR3
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
공장 재고 :: 0
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기술 :: 플래시 -도 또한
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
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기술 :: SDRAM - 모바일 LPDDR3
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
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기술 :: 플래시 -도 또한
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
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기술 :: SDRAM - 모바일 LPDDR4
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
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기술 :: 플래시 -도 또한
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
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쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 105 나노 초
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기술 :: SDRAM - 모바일 LPDDR4
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
공장 재고 :: 0
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상품 카테고리 :: 메모리 ics
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쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 110 나노 초
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좋은 가격 메모리 통합 회로 MT53B384M32D2NP-062 AIT:B 온라인으로

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기술 :: SDRAM - 모바일 LPDDR4
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
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