메모리 통합 회로 MT47H64M8JN-25E:G
| 기술 :: | SDRAM - DDR2 |
|---|---|
| 상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
| 기억 영역형 :: | 휘발성 물질 |
| 공장 재고 :: | 0 |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | 15 나노 초 |
| 기술 :: | SDRAM - DDR2 |
|---|---|
| 상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
| 기억 영역형 :: | 휘발성 물질 |
| 공장 재고 :: | 0 |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | 15 나노 초 |
| 기술 :: | - |
|---|---|
| 상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
| 기억 영역형 :: | - |
| 공장 재고 :: | 0 |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | - |
| 기술 :: | - |
|---|---|
| 상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
| 기억 영역형 :: | - |
| 공장 재고 :: | 0 |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | - |
| 기술 :: | DRAM |
|---|---|
| 상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
| 기억 영역형 :: | 휘발성 물질 |
| 공장 재고 :: | 0 |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | - |
| 기술 :: | - |
|---|---|
| 상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
| 기억 영역형 :: | - |
| 공장 재고 :: | 0 |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | - |
| 기술 :: | - |
|---|---|
| 상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
| 기억 영역형 :: | - |
| 공장 재고 :: | 0 |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | - |
| 기술 :: | - |
|---|---|
| 상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
| 기억 영역형 :: | - |
| 공장 재고 :: | 0 |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | - |
| 기술 :: | DRAM |
|---|---|
| 상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
| 기억 영역형 :: | 휘발성 물질 |
| 공장 재고 :: | 0 |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | - |
| 기술 :: | SDRAM - DDR3 |
|---|---|
| 상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
| 기억 영역형 :: | 휘발성 물질 |
| 공장 재고 :: | 0 |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | - |
| 기술 :: | - |
|---|---|
| 상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
| 기억 영역형 :: | - |
| 공장 재고 :: | 0 |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | - |
| 기술 :: | DRAM |
|---|---|
| 상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
| 기억 영역형 :: | 휘발성 물질 |
| 공장 재고 :: | 0 |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | - |
| 기술 :: | - |
|---|---|
| 상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
| 기억 영역형 :: | - |
| 공장 재고 :: | 0 |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | - |
| 기술 :: | SDRAM - DDR3 |
|---|---|
| 상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
| 기억 영역형 :: | 휘발성 물질 |
| 공장 재고 :: | 0 |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | - |
| 기술 :: | - |
|---|---|
| 상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
| 기억 영역형 :: | - |
| 공장 재고 :: | 0 |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | - |
| 기술 :: | SDRAM - DDR3 |
|---|---|
| 상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
| 기억 영역형 :: | 휘발성 물질 |
| 공장 재고 :: | 0 |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | - |
