IC 통합 회로 AT28C010-15TU
| 분류: | 융합 회로 (IC) 기억력 기억력 |
|---|---|
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| 패키지: | 트레이 |
| 시리즈: | - |
| 분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 제너 단일 제너 다이오드 |
|---|---|
| 제품 상태: | 액티브 |
| 경향 - Vr에 있는 역누출: | 121.6V에서 1μA |
| 전압 - 제너 (Nom) (프즈): | 160V |
| 전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.2V @ 200mA |
| 분류: | 융합 회로 (IC) 기억력 기억력 |
|---|---|
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| 패키지: | 트레이 |
| 시리즈: | SST39 MPFTM |
| 분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 제너 단일 제너 다이오드 |
|---|---|
| 제품 상태: | 액티브 |
| 경향 - Vr에 있는 역누출: | 114V에서 1μA |
| 전압 - 제너 (Nom) (프즈): | 150 Ｖ |
| 전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.2V @ 200mA |
| 분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 제너 단일 제너 다이오드 |
|---|---|
| 제품 상태: | 액티브 |
| 경향 - Vr에 있는 역누출: | 98.8V에서 1μA |
| 전압 - 제너 (Nom) (프즈): | 130V |
| 전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.2V @ 200mA |
| 분류: | 융합 회로 (IC) 기억력 기억력 |
|---|---|
| 메모리 용량: | 16Mbit |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| 패키지: | 튜브 |
| 분류: | 융합 회로 (IC) 기억력 기억력 |
|---|---|
| 메모리 용량: | 16Mbit |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| 패키지: | 튜브 |
| 분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 제너 단일 제너 다이오드 |
|---|---|
| 제품 상태: | 액티브 |
| 경향 - Vr에 있는 역누출: | 91.2V에서 1μA |
| 전압 - 제너 (Nom) (프즈): | 120 Ｖ |
| 전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.2V @ 200mA |
| 분류: | 융합 회로 (IC) 기억력 기억력 |
|---|---|
| 메모리 용량: | 8Mbit |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| 패키지: | 튜브 |
| 분류: | 융합 회로 (IC) 기억력 기억력 |
|---|---|
| 메모리 용량: | 512Kbit |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| 패키지: | 튜브 |
| 분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 제너 단일 제너 다이오드 |
|---|---|
| 제품 상태: | 액티브 |
| 경향 - Vr에 있는 역누출: | 83.6V에서 1μA |
| 전압 - 제너 (Nom) (프즈): | 110V입니다 |
| 전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.2V @ 200mA |
