IC 집적 회로 GW1N-UV9PG256C6/I5 PBGA-256 프로그래머블 로직 ICs
엠에프르. #: | GW1N-UV9PG256C6/I5 |
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엠에프르.: | 고윈반도체 |
기술: | FPGA - 필드 프로그래머블 게이트 어레이 |
엠에프르. #: | GW1N-UV9PG256C6/I5 |
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엠에프르.: | 고윈반도체 |
기술: | FPGA - 필드 프로그래머블 게이트 어레이 |
엠에프르. #: | GW1N-LV4LQ100C6/I5 |
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엠에프르.: | 고윈반도체 |
기술: | FPGA - 필드 프로그래머블 게이트 어레이 |
엠에프르. #: | MPF100T-FCSG325E |
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엠에프르.: | 마이크로칩 테크놀로지 |
기술: | FPGA - 필드 프로그래밍 가능 게이트 어레이 7.8Mb 4 TransCh 250Mbps-12.7Gbps |
운송 경보: | 이 제품은 추가적 문서가 미국으로부터 수출하도록 요구할 수 있습니다. |
공장 준비 시간: | 39 주 |
엠에프르. #: | A3PE600-2FGG484I |
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엠에프르.: | 마이크로칩 테크놀로지 |
기술: | FPGA - 필드 프로그래밍 가능 게이트 어레이 A3PE600-2FGG484I 무연 |
공장 준비 시간: | 32 주 |
엠에프르. #: | AGLN250V5-CSG81I |
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엠에프르.: | 마이크로칩 테크놀로지 |
기술: | FPGA - 필드 프로그래밍 가능 게이트 어레이 AGLN250V5-CSG81I |
공장 준비 시간: | 45 주 |
엠에프르. #: | ICE40LP1K-QN84 |
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엠에프르.: | 레티스 |
기술: | FPGA - 필드 프로그래밍 가능 게이트 어레이 iCE40LP 1280 LUT 1.2V 초저전력 |
공장 준비 시간: | 53 주 |
엠에프르. #: | ICE40LP1K-CB121 |
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엠에프르.: | 레티스 |
기술: | FPGA - 필드 프로그래밍 가능 게이트 어레이 iCE40LP 초저전력 1280 LUT 1.2V |
공장 준비 시간: | 53 주 |
엠에프르. #: | LFE5UM5G-45F-8BG381I |
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엠에프르.: | 레티스 |
기술: | FPGA - 필드 프로그래밍 가능 게이트 어레이 래티스 ECP5-5G; 43.8K LUT 1.2V; 5G 서비스 |
공장 준비 시간: | 53 주 |
엠에프르. #: | LFE5UM5G-25F-8BG381I |
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엠에프르.: | 레티스 |
기술: | FPGA - 필드 프로그래밍 가능 게이트 어레이 래티스 ECP5-5G; 24.3K LUT 1.2V; 5G 서비스 |
공장 준비 시간: | 53 주 |
엠에프르. #: | LCMXO3L-4300E-5MG121C |
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엠에프르.: | 레티스 |
기술: | FPGA - 필드 프로그래밍 가능 게이트 어레이 격자 MachXO3L; 4320 LUT; 1.2V |
공장 준비 시간: | 53 주 |
엠에프르. #: | A40MX04-PLG44I |
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엠에프르.: | 마이크로칩 테크놀로지 |
기술: | FPGA - 필드 프로그래밍 가능 게이트 어레이 A40MX04-PLG44I 무연 |
공장 준비 시간: | 20 주 |
엠에프르. #: | A3P125-TQG144I |
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엠에프르.: | 마이크로칩 테크놀로지 |
기술: | FPGA - 필드 프로그래밍 가능 게이트 어레이 A3P125-TQG144I |
공장 준비 시간: | 주 |
엠에프르. #: | LCMXO2-4000ZE-1TG144I |
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엠에프르.: | 레티스 |
기술: | FPGA - 현장 프로그래밍 가능 게이트 어레이 4320 LUT 115 IO 1.2V 1 Spd |
공장 준비 시간: | 81 주 |
엠에프르. #: | LCMXO2-1200HC-6TG144C |
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엠에프르.: | 레티스 |
기술: | FPGA - 필드 프로그래밍 가능 게이트 어레이 1280 LUT 108 I/O 3.3V -6 SPD |
공장 준비 시간: | 주 |
엠에프르. #: | LCMXO2-7000HE-4TG144C |
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엠에프르.: | 레티스 |
기술: | FPGA - 필드 프로그래밍 가능 게이트 어레이 6864 LUT 115 I/O 1.2V 4 SPEED |
공장 준비 시간: | 53 주 |