IC 집적 회로 QPF5002 무선 전신 & ; RF 집적 회로
엠에프르. #: | QPF5002 |
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엠에프르.: | 큐오르보 |
기술: | RF 프론트 앤드 X 밴드 2W FEM, OVM |
공장 준비 시간: | 34 주 |
엠에프르. #: | QPF5002 |
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엠에프르.: | 큐오르보 |
기술: | RF 프론트 앤드 X 밴드 2W FEM, OVM |
공장 준비 시간: | 34 주 |
엠에프르. #: | ADP5055ACCZ-R7 |
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엠에프르.: | 아날로그 디바이스주 |
기술: | 스위칭 전압 조절기 3중 고전류 달러 레그 |
공장 준비 시간: | 13 주 |
엠에프르. #: | LTM4673IY#PBF |
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엠에프르.: | 아날로그 디바이스주 |
기술: | 스위칭 전압 조절기 고밀도 쿼드 출력 모듈 |
공장 준비 시간: | 주 |
엠에프르. #: | MAX20010CATPY/V+ |
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엠에프르.: | 통합된 아날로그 디바이스주 / 격언 |
기술: | 6A세 스위칭 전압 조절기 5V는 I2C 인터페이스와 컨버터를 완강하게 저항합니다 |
공장 준비 시간: | 23 주 |
엠에프르. #: | NCD57253DWR2G |
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엠에프르.: | 온새미 |
기술: | SOIC-16의 절연 게이트 드라이버 고립된 듀얼-채널 IGBT 게이트 드라이버 듀얼-채널 Iso 게이트 드라이버 넓입니다 |
공장 준비 시간: | 15주 |
엠에프르. #: | TLE92464EDHPXUMA1 |
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엠에프르.: | 인피니언 테크놀러지 |
기술: | 모터 / 이동 / 점화 제어기들 & ; 드라이버 |
공장 준비 시간: | 23 주 |
엠에프르. #: | MAX9295AGTJ/V+T |
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엠에프르.: | 통합된 아날로그 디바이스주 / 격언 |
기술: | 시리얼라이저 & ; 디시리얼라이저 - DSI 입력과 코엑스 / STP 출력과 Serdes GMSL2 시리얼라이저 |
공장 준비 시간: | 54 주 |
엠에프르. #: | MT62F1G32D4DR-031 WT :비 |
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엠에프르.: | 마이크론 |
기술: | DRAM LPDDR5 32G X32 TFBGA |
공장 준비 시간: | 17 주 |
엠에프르. #: | AT45DQ321-SHFHJ-T |
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엠에프르.: | 르네사스 / 대화 |
기술: | NOR 플래시 32 메가비트, 3.0V (2.3V 내지 3.6V), -40C 내지 85C, SOIC-W 208 밀리리터 (테이프 & ; 릴), 가능해진 쿼드 모드, 한 개의, |
공장 준비 시간: | 주 |
엠에프르. #: | OPA310IDBVR |
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엠에프르.: | 텍사스 인스트루먼츠 사 |
기술: | 작동중인 증폭기 - 연산 증폭기 단일, 5.5-V, 3-MHz 고출력 현재 (150 mA) 빠른 중단 (1 s) 작동중인 증폭기 |
공장 준비 시간: | 6 주 |
엠에프르. #: | AS4C128M8D3LC-12BIN |
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엠에프르.: | 협력 메모리 |
기술: | DRAM DDR3, 1G, 128M X 8, 1.35V, 78 볼 BGA, 800MHz, 산업적 임시 |
공장 준비 시간: | 8 주 |
엠에프르. #: | AS4C64M16D3LC-12BCN |
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엠에프르.: | 협력 메모리 |
기술: | DRAM DDR3, 1G, 64M X 16, 1.35V, 96-볼 에프비지에이, 800MHZ, 상업적 임시 |
공장 준비 시간: | 6 주 |
엠에프르. #: | AS4C128M8D3LC-12BCN |
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엠에프르.: | 협력 메모리 |
기술: | DRAM DDR3, 1G, 128M X 8, 1.35V, 78 볼 BGA, 800MHz, 상업적 임시 |
공장 준비 시간: | 8 주 |
엠에프르. #: | ADE-30+ |
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엠에프르.: | 미니-서킷츠 |
기술: | 광대역 알에프 믹서 데이터베이스 언어 기본 어셈블리 언어 혼합 / 서프 MT / 로에스 |
공장 준비 시간: | 11 주 |
엠에프르. #: | TMUX1136DQAR |
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엠에프르.: | 텍사스 인스트루먼츠 사 |
기술: | 아날로그 스위치 ICs 3-pA 온-상태 누설 전류, 5-V, 2:1, 2 채널 정확성 아날로그 스위치 10 USON -40 내지 125 |
공장 준비 시간: | 8 주 |