IC 통합 회로 AD8280WASTZ
셀 수:: | 3 ~ 6 |
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상품 카테고리 :: | 배터리 관리 |
배터리 화학:: | 리듐-이온 |
공장 재고 :: | 0 |
조화시키세요 :: | - |
상품 카테고리 :: | 게이트 드라이버 |
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하이사이드 전압 - 최대(부트스트랩):: | - |
상승/하강 시간(일반):: | 10 나노 초, 10 나노 초 |
논리 전압 - VIL, VIH:: | 0.8V, 2V |
전압 - 공급 :: | 4.5V ~ 18V |
상품 카테고리 :: | 게이트 드라이버 |
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상승/하강 시간(일반):: | 12 나노 초, 12 나노 초 |
전압 - 공급 :: | 11.5 V ~ 18 V |
수량에 :: | 0 |
증가하는 타입 :: | 표면 마운트 |
상품 카테고리 :: | 게이트 드라이버 |
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상승/하강 시간(일반):: | 18 나노 초, 18 나노 초 |
전압 - 공급 :: | 7.5V ~ 35V |
수량에 :: | 0 |
증가하는 타입 :: | 표면 마운트 |
상품 카테고리 :: | 게이트 드라이버 |
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상승/하강 시간(일반):: | 20 나노 초, 20 나노 초 |
전압 - 공급 :: | 7.6V ~ 18V |
수량에 :: | 0 |
증가하는 타입 :: | 표면 마운트 |
상품 카테고리 :: | 게이트 드라이버 |
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하이사이드 전압 - 최대(부트스트랩):: | - |
상승/하강 시간(일반):: | 10 나노 초, 10 나노 초 |
논리 전압 - VIL, VIH:: | 0.8V, 2V |
전압 - 공급 :: | 9.5V ~ 18V |
상품 카테고리 :: | 게이트 드라이버 |
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하이사이드 전압 - 최대(부트스트랩):: | - |
상승/하강 시간(일반):: | 10 나노 초, 10 나노 초 |
논리 전압 - VIL, VIH:: | 0.8V, 2V |
전압 - 공급 :: | 9.5V ~ 18V |
상품 카테고리 :: | 게이트 드라이버 |
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하이사이드 전압 - 최대(부트스트랩):: | - |
상승/하강 시간(일반):: | 10 나노 초, 10 나노 초 |
논리 전압 - VIL, VIH:: | 0.8V, 2V |
전압 - 공급 :: | 9.5V ~ 18V |
상품 카테고리 :: | 게이트 드라이버 |
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하이사이드 전압 - 최대(부트스트랩):: | - |
상승/하강 시간(일반):: | 10 나노 초, 10 나노 초 |
논리 전압 - VIL, VIH:: | 0.8V, 2V |
전압 - 공급 :: | 4.5V ~ 18V |
상품 카테고리 :: | 게이트 드라이버 |
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하이사이드 전압 - 최대(부트스트랩):: | - |
상승/하강 시간(일반):: | 10 나노 초, 10 나노 초 |
논리 전압 - VIL, VIH:: | 0.8V, 2V |
전압 - 공급 :: | 9.5V ~ 18V |
상품 카테고리 :: | 게이트 드라이버 |
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하이사이드 전압 - 최대(부트스트랩):: | - |
상승/하강 시간(일반):: | 10 나노 초, 10 나노 초 |
논리 전압 - VIL, VIH:: | 0.8V, 2V |
전압 - 공급 :: | 4.5V ~ 18V |
상품 카테고리 :: | 게이트 드라이버 |
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하이사이드 전압 - 최대(부트스트랩):: | - |
상승/하강 시간(일반):: | 10 나노 초, 10 나노 초 |
논리 전압 - VIL, VIH:: | 0.8V, 2V |
전압 - 공급 :: | 9.5V ~ 18V |
상품 카테고리 :: | 게이트 드라이버 |
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하이사이드 전압 - 최대(부트스트랩):: | - |
상승/하강 시간(일반):: | - |
논리 전압 - VIL, VIH:: | - |
전압 - 공급 :: | - |
상품 카테고리 :: | 게이트 드라이버 |
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하이사이드 전압 - 최대(부트스트랩):: | - |
상승/하강 시간(일반):: | 10 나노 초, 10 나노 초 |
논리 전압 - VIL, VIH:: | 0.8V, 2V |
전압 - 공급 :: | 4.5V ~ 18V |