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메모리 통합 회로 MT48LC32M16A2TG-75 IT:C TR

기술 :: SDRAM
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
공장 재고 :: 0
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기술 :: SDRAM
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
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기술 :: SDRAM
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
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쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 15 나노 초
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기술 :: SDRAM
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
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기술 :: SDRAM
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
공장 재고 :: 0
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기술 :: SDRAM
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
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기술 :: SDRAM - 모바일 LPSDR
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
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기술 :: 플래시 -도 또한
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
공장 재고 :: 0
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기술 :: SDRAM - 모바일 LPSDR
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
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기술 :: 플래시 - NAND
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
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기술 :: 플래시 - NAND
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
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기술 :: 플래시 - NAND
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
공장 재고 :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: -
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기술 :: 퍼슈도스태틱 메모리 (준에스램)
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
공장 재고 :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 70 나노 초
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기술 :: SDRAM - 모바일 LPDDR
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
공장 재고 :: 0
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기술 :: SDRAM - DDR
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
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