메모리 통합 회로 M29DW127G70ZA6E
기술 :: | 플래시 -도 또한 |
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상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
기억 영역형 :: | 비휘발성입니다 |
Factory Stock :: | 0 |
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | 70 나노 초 |
기술 :: | 플래시 -도 또한 |
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상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
기억 영역형 :: | 비휘발성입니다 |
Factory Stock :: | 0 |
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | 70 나노 초 |
기술 :: | 플래시 -도 또한 |
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상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
기억 영역형 :: | 비휘발성입니다 |
Factory Stock :: | 0 |
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | 60 나노 초 |
기술 :: | 플래시 -도 또한 |
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상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
기억 영역형 :: | 비휘발성입니다 |
Factory Stock :: | 0 |
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | 55 나노 초 |
기술 :: | 플래시 -도 또한 |
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상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
기억 영역형 :: | 비휘발성입니다 |
Factory Stock :: | 0 |
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | - |
기술 :: | 플래시 -도 또한 |
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상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
기억 영역형 :: | 비휘발성입니다 |
Factory Stock :: | 0 |
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | 55 나노 초 |
기술 :: | 플래시 -도 또한 |
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상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
기억 영역형 :: | 비휘발성입니다 |
Factory Stock :: | 0 |
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | 8ms, 5ms |
기술 :: | 플래시 -도 또한 |
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상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
기억 영역형 :: | 비휘발성입니다 |
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쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | 55 나노 초 |
기술 :: | 플래시 -도 또한 |
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기억 영역형 :: | 비휘발성입니다 |
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쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | 60 나노 초 |
기술 :: | 플래시 -도 또한 |
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기억 영역형 :: | 비휘발성입니다 |
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쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | 55 나노 초 |
기술 :: | 플래시 -도 또한 |
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기억 영역형 :: | 비휘발성입니다 |
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