메모리 통합 회로 MT53D1024M32D4NQ-053 WT:D TR
| 기술 :: | SDRAM - 모바일 LPDDR4 |
|---|---|
| 상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
| 기억 영역형 :: | 휘발성 물질 |
| 공장 재고 :: | 0 |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | - |
| 기술 :: | SDRAM - 모바일 LPDDR4 |
|---|---|
| 상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
| 기억 영역형 :: | 휘발성 물질 |
| 공장 재고 :: | 0 |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | - |
| 기술 :: | 플래시 -도 또한 |
|---|---|
| 상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
| 기억 영역형 :: | 비휘발성입니다 |
| 공장 재고 :: | 0 |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | 80 나노 초 |
| 기술 :: | SDRAM - 모바일 LPDDR4 |
|---|---|
| 상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
| 기억 영역형 :: | 휘발성 물질 |
| 공장 재고 :: | 0 |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | - |
| 기술 :: | 플래시 -도 또한 |
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| 상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
| 기억 영역형 :: | 비휘발성입니다 |
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| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | 80 나노 초 |
| 기술 :: | - |
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| 상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
| 기억 영역형 :: | - |
| 공장 재고 :: | 0 |
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| 기술 :: | 플래시 -도 또한 |
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| 상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
| 기억 영역형 :: | 비휘발성입니다 |
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| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | 80 나노 초 |
| 기술 :: | SDRAM - 모바일 LPDDR4 |
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| 상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
| 기억 영역형 :: | 휘발성 물질 |
| 공장 재고 :: | 0 |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | - |
| 기술 :: | 플래시 -도 또한 |
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| 상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
| 기억 영역형 :: | 비휘발성입니다 |
| 공장 재고 :: | 0 |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | 80 나노 초 |
| 기술 :: | SDRAM - 모바일 LPDDR4 |
|---|---|
| 상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
| 기억 영역형 :: | 휘발성 물질 |
| 공장 재고 :: | 0 |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | - |
| 기술 :: | SDRAM - 모바일 LPDDR4 |
|---|---|
| 상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
| 기억 영역형 :: | 휘발성 물질 |
| 공장 재고 :: | 0 |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | - |
| 기술 :: | 플래시 |
|---|---|
| 상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
| 기억 영역형 :: | 비휘발성입니다 |
| 공장 재고 :: | 0 |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | - |
| 기술 :: | - |
|---|---|
| 상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
| 기억 영역형 :: | - |
| 공장 재고 :: | 0 |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | - |
| 기술 :: | SDRAM - 모바일 LPDDR4 |
|---|---|
| 상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
| 기억 영역형 :: | 휘발성 물질 |
| 공장 재고 :: | 0 |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | - |
| 기술 :: | 플래시 |
|---|---|
| 상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
| 기억 영역형 :: | 비휘발성입니다 |
| 공장 재고 :: | 0 |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | - |
| 기술 :: | 플래시 - NAND |
|---|---|
| 상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
| 기억 영역형 :: | 비휘발성입니다 |
| 공장 재고 :: | 0 |
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