메모리 통합 회로 MT29F64G08CBCGBWP-10M:G TR
| 기술 :: | 플래시 - NAND |
|---|---|
| 상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
| 기억 영역형 :: | 비휘발성입니다 |
| 공장 재고 :: | 0 |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | - |
| 기술 :: | 플래시 - NAND |
|---|---|
| 상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
| 기억 영역형 :: | 비휘발성입니다 |
| 공장 재고 :: | 0 |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | - |
| 기술 :: | 플래시 -도 또한 |
|---|---|
| 상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
| 기억 영역형 :: | 비휘발성입니다 |
| 공장 재고 :: | 0 |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | 55 나노 초 |
| 기술 :: | 플래시 - NAND |
|---|---|
| 상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
| 기억 영역형 :: | 비휘발성입니다 |
| 공장 재고 :: | 0 |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | - |
| 기술 :: | 플래시 -도 또한 |
|---|---|
| 상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
| 기억 영역형 :: | 비휘발성입니다 |
| 공장 재고 :: | 0 |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | 45 나노 초 |
| 기술 :: | 플래시 - NAND |
|---|---|
| 상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
| 기억 영역형 :: | 비휘발성입니다 |
| 공장 재고 :: | 0 |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | - |
| 기술 :: | 플래시 -도 또한 |
|---|---|
| 상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
| 기억 영역형 :: | 비휘발성입니다 |
| 공장 재고 :: | 0 |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | 60 나노 초 |
| 기술 :: | 플래시 - NAND |
|---|---|
| 상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
| 기억 영역형 :: | 비휘발성입니다 |
| 공장 재고 :: | 0 |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | - |
| 기술 :: | 플래시 - NAND, DRAM - LPDDR2 |
|---|---|
| 상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
| 기억 영역형 :: | 비휘발성입니다 |
| 공장 재고 :: | 0 |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | - |
| 기술 :: | 플래시 -도 또한 |
|---|---|
| 상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
| 기억 영역형 :: | 비휘발성입니다 |
| 공장 재고 :: | 0 |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | 8ms, 5ms |
| 기술 :: | 플래시 - NAND, DRAM - LPDDR2 |
|---|---|
| 상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
| 기억 영역형 :: | 비휘발성입니다 |
| 공장 재고 :: | 0 |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | - |
| 기술 :: | 플래시 -도 또한 |
|---|---|
| 상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
| 기억 영역형 :: | 비휘발성입니다 |
| 공장 재고 :: | 0 |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | 8ms, 5ms |
| 기술 :: | - |
|---|---|
| 상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
| 기억 영역형 :: | - |
| 공장 재고 :: | 0 |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | - |
| 기술 :: | 플래시 -도 또한 |
|---|---|
| 상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
| 기억 영역형 :: | 비휘발성입니다 |
| 공장 재고 :: | 0 |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | 8ms, 5ms |
| 기술 :: | - |
|---|---|
| 상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
| 기억 영역형 :: | - |
| 공장 재고 :: | 0 |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | - |
