메모리 통합 회로 MT45W2MW16BAFB-856 WT
| 기술 :: | 퍼슈도스태틱 메모리 (준에스램) |
|---|---|
| 상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
| 기억 영역형 :: | 휘발성 물질 |
| 공장 재고 :: | 0 |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | 85ns |
| 기술 :: | 퍼슈도스태틱 메모리 (준에스램) |
|---|---|
| 상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
| 기억 영역형 :: | 휘발성 물질 |
| 공장 재고 :: | 0 |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | 85ns |
| 기술 :: | 퍼슈도스태틱 메모리 (준에스램) |
|---|---|
| 상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
| 기억 영역형 :: | 휘발성 물질 |
| 공장 재고 :: | 0 |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | 70 나노 초 |
| 기술 :: | 플래시 - NAND, 모바일 LPDRAM |
|---|---|
| 상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
| 기억 영역형 :: | 비휘발성입니다 |
| 공장 재고 :: | 0 |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | - |
| 기술 :: | 퍼슈도스태틱 메모리 (준에스램) |
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| 상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
| 기억 영역형 :: | 휘발성 물질 |
| 공장 재고 :: | 0 |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | 70 나노 초 |
| 기술 :: | 플래시 - NAND, 모바일 LPDRAM |
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| 상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
| 기억 영역형 :: | 비휘발성입니다 |
| 공장 재고 :: | 0 |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | - |
| 기술 :: | 퍼슈도스태틱 메모리 (준에스램) |
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| 상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
| 기억 영역형 :: | 휘발성 물질 |
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| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | 70 나노 초 |
| 기술 :: | 플래시 - NAND, 모바일 LPDRAM |
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| 상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
| 기억 영역형 :: | 비휘발성입니다 |
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| 기술 :: | 플래시 - NAND, 모바일 LPDRAM |
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| 상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
| 기억 영역형 :: | 비휘발성입니다 |
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| 기술 :: | 퍼슈도스태틱 메모리 (준에스램) |
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| 상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
| 기억 영역형 :: | 휘발성 물질 |
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| 기술 :: | 플래시 - NAND |
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| 상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
| 기억 영역형 :: | 비휘발성입니다 |
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| 기술 :: | 퍼슈도스태틱 메모리 (준에스램) |
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| 상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
| 기억 영역형 :: | 휘발성 물질 |
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| 기술 :: | 퍼슈도스태틱 메모리 (준에스램) |
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| 상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
| 기억 영역형 :: | 휘발성 물질 |
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| 기술 :: | 플래시 - NAND |
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| 기술 :: | 플래시 - NAND |
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| 기억 영역형 :: | 비휘발성입니다 |
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| 기술 :: | 퍼슈도스태틱 메모리 (준에스램) |
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| 상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
| 기억 영역형 :: | 휘발성 물질 |
| 공장 재고 :: | 0 |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | 70 나노 초 |
