IC obwody zintegrowane MV2N5116UB
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory JFET |
|---|---|
| Typ FET: | Kanał P |
| Status produktu: | Aktywny |
| Napięcie - Awaria (V(BR)GSS): | 30 V |
| Rodzaj montażu: | Powierzchnia |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory JFET |
|---|---|
| Typ FET: | Kanał P |
| Status produktu: | Aktywny |
| Napięcie - Awaria (V(BR)GSS): | 30 V |
| Rodzaj montażu: | Powierzchnia |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory JFET |
|---|---|
| Typ FET: | Kanał N |
| Status produktu: | Aktywny |
| Napięcie - Awaria (V(BR)GSS): | 40 V |
| Rodzaj montażu: | Powierzchnia |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory JFET |
|---|---|
| Typ FET: | Kanał N |
| Status produktu: | Aktywny |
| Napięcie - Awaria (V(BR)GSS): | 40 V |
| Rodzaj montażu: | Powierzchnia |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory JFET |
|---|---|
| Typ FET: | Kanał P |
| Status produktu: | Aktywny |
| Napięcie - Awaria (V(BR)GSS): | 30 V |
| Rodzaj montażu: | Powierzchnia |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory JFET |
|---|---|
| Typ FET: | Kanał P |
| Status produktu: | Aktywny |
| Napięcie - Awaria (V(BR)GSS): | 30 V |
| Rodzaj montażu: | Powierzchnia |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory JFET |
|---|---|
| Typ FET: | Kanał N |
| Status produktu: | Aktywny |
| Napięcie - Awaria (V(BR)GSS): | 30 V |
| Rodzaj montażu: | Powierzchnia |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory JFET |
|---|---|
| Typ FET: | Kanał P |
| Status produktu: | Aktywny |
| Napięcie - Awaria (V(BR)GSS): | 30 V |
| Rodzaj montażu: | Powierzchnia |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory JFET |
|---|---|
| Typ FET: | Kanał N |
| Status produktu: | Aktywny |
| Napięcie - Awaria (V(BR)GSS): | 40 V |
| Rodzaj montażu: | Powierzchnia |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory JFET |
|---|---|
| Typ FET: | Kanał N |
| Status produktu: | Aktywny |
| Napięcie - Awaria (V(BR)GSS): | 40 V |
| Rodzaj montażu: | Powierzchnia |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory JFET |
|---|---|
| Typ FET: | Kanał N |
| Status produktu: | Aktywny |
| Napięcie - Awaria (V(BR)GSS): | 30 V |
| Rodzaj montażu: | Powierzchnia |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory JFET |
|---|---|
| Typ FET: | Kanał N |
| Status produktu: | Aktywny |
| Napięcie - Awaria (V(BR)GSS): | 40 V |
| Rodzaj montażu: | Powierzchnia |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory JFET |
|---|---|
| Typ FET: | Kanał N |
| Status produktu: | Aktywny |
| Napięcie - Awaria (V(BR)GSS): | 40 V |
| Rodzaj montażu: | Przez dziurę |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory JFET |
|---|---|
| Typ FET: | Kanał N |
| Status produktu: | Aktywny |
| Rodzaj montażu: | Powierzchnia |
| Pakiet: | Wyroby masowe |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory JFET |
|---|---|
| Typ FET: | Kanał N |
| Status produktu: | Aktywny |
| Napięcie - Awaria (V(BR)GSS): | 40 V |
| Rodzaj montażu: | Przez dziurę |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory JFET |
|---|---|
| Typ FET: | Kanał N |
| Status produktu: | Aktywny |
| Napięcie - Awaria (V(BR)GSS): | 30 V |
| Rodzaj montażu: | Powierzchnia |
