IC obwody zintegrowane 1214GN-1200VG
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET RF FET, MOSFET |
|---|---|
| Status produktu: | Aktywny |
| Rodzaj montażu: | Powierzchnia |
| Napięcie — znamionowe: | 65 V |
| Pakiet: | Wyroby masowe |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET RF FET, MOSFET |
|---|---|
| Status produktu: | Aktywny |
| Rodzaj montażu: | Powierzchnia |
| Napięcie — znamionowe: | 65 V |
| Pakiet: | Wyroby masowe |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET RF FET, MOSFET |
|---|---|
| Status produktu: | Aktywny |
| Rodzaj montażu: | Powierzchnia |
| Napięcie — znamionowe: | 150 V |
| Pakiet: | Wyroby masowe |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET RF FET, MOSFET |
|---|---|
| Status produktu: | Aktywny |
| Napięcie — znamionowe: | 150 V |
| Pakiet: | Wyroby masowe |
| Zestaw: | wiceprezes |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET RF FET, MOSFET |
|---|---|
| Status produktu: | Aktywny |
| Rodzaj montażu: | Powierzchnia |
| Napięcie — znamionowe: | 150 V |
| Pakiet: | Wyroby masowe |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET RF FET, MOSFET |
|---|---|
| Status produktu: | Aktywny |
| Rodzaj montażu: | Powierzchnia |
| Napięcie — znamionowe: | 125 V |
| Pakiet: | Wyroby masowe |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET RF FET, MOSFET |
|---|---|
| Status produktu: | Aktywny |
| Pakiet: | Wyroby masowe |
| Zestaw: | - |
| Mfr: | Technologia mikroczipów |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET RF FET, MOSFET |
|---|---|
| Status produktu: | Aktywny |
| Konfiguracja: | - |
| Napięcie — znamionowe: | 150 V |
| Pakiet: | Wyroby masowe |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET RF FET, MOSFET |
|---|---|
| Status produktu: | Aktywny |
| Rodzaj montażu: | Powierzchnia |
| Napięcie — znamionowe: | 150 V |
| Pakiet: | Wyroby masowe |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET RF FET, MOSFET |
|---|---|
| Status produktu: | Aktywny |
| Rodzaj montażu: | Powierzchnia |
| Napięcie — znamionowe: | 125 V |
| Pakiet: | Wyroby masowe |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET RF FET, MOSFET |
|---|---|
| Status produktu: | Aktywny |
| Rodzaj montażu: | Powierzchnia |
| Napięcie — znamionowe: | 150 V |
| Pakiet: | Wyroby masowe |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET RF FET, MOSFET |
|---|---|
| Status produktu: | Nieprzydatne |
| Konfiguracja: | Kanał N |
| Napięcie — znamionowe: | 170 V |
| Pakiet: | rurka |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET RF FET, MOSFET |
|---|---|
| Status produktu: | Aktywny |
| Rodzaj montażu: | Powierzchnia |
| Napięcie — znamionowe: | 150 V |
| Pakiet: | Wyroby masowe |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET RF FET, MOSFET |
|---|---|
| Status produktu: | Aktywny |
| Pakiet: | Wyroby masowe |
| Zestaw: | - |
| Mfr: | Technologia mikroczipów |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET RF FET, MOSFET |
|---|---|
| Status produktu: | Aktywny |
| Napięcie — znamionowe: | 125 V |
| Pakiet: | Wyroby masowe |
| Zestaw: | EP |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET RF FET, MOSFET |
|---|---|
| Status produktu: | Aktywny |
| Napięcie — znamionowe: | 65 V |
| Pakiet: | Wyroby masowe |
| Zestaw: | V |
