Procesory wbudowane fabryka, kup dobrą cenę Wbudowane kontrolery produkty

Osoba kontaktowa :	Jack
WhatsApp :	+8618813982051

Obwody zintegrowane pamięci MT53D4DCNZ-DC TR

Technologia ::	-
Kategoria produktu ::	Układy scalone pamięci
Typ pamięci::	-
Zapas fabryczny::	0
Zapisz czas cyklu - Word, Strona::	-

Skontaktuj się teraz

Obwody zintegrowane pamięci MT48LC4M32LFF5-10 IT:G

Technologia ::	SDRAM — mobilny LPSDR
Kategoria produktu ::	Układy scalone pamięci
Typ pamięci::	Lotny
Zapas fabryczny::	0
Zapisz czas cyklu - Word, Strona::	15ns

Skontaktuj się teraz

Obwody zintegrowane pamięci MT25QU01GBBB8ESF-0AAT TR

Technologia ::	BŁYSK - NIE
Kategoria produktu ::	Układy scalone pamięci
Typ pamięci::	Nieulotne
Zapas fabryczny::	0
Zapisz czas cyklu - Word, Strona::	8 ms, 2,8 ms

Skontaktuj się teraz

Obwody zintegrowane pamięci MT25QU128ABA8ESF-0SIT TR

Technologia ::	BŁYSK - NIE
Kategoria produktu ::	Układy scalone pamięci
Typ pamięci::	Nieulotne
Zapas fabryczny::	0
Zapisz czas cyklu - Word, Strona::	8 ms, 2,8 ms

Skontaktuj się teraz

Obwody zintegrowane pamięci MT48LC4M32LFF5-8:G

Technologia ::	SDRAM — mobilny LPSDR
Kategoria produktu ::	Układy scalone pamięci
Typ pamięci::	Lotny
Zapas fabryczny::	0
Zapisz czas cyklu - Word, Strona::	15ns

Skontaktuj się teraz

Obwody zintegrowane pamięci MT53D4DGSB-DC TR

Technologia ::	-
Kategoria produktu ::	Układy scalone pamięci
Typ pamięci::	-
Zapas fabryczny::	0
Zapisz czas cyklu - Word, Strona::	-

Skontaktuj się teraz

Obwody zintegrowane pamięci MT48LC64M4A2P-7E:D

Technologia ::	SDRAM
Kategoria produktu ::	Układy scalone pamięci
Typ pamięci::	Lotny
Zapas fabryczny::	0
Zapisz czas cyklu - Word, Strona::	14ns

Skontaktuj się teraz

Obwody zintegrowane pamięci MT25TL01GBBB8ESF-0AAT TR

Technologia ::	BŁYSK - NIE
Kategoria produktu ::	Układy scalone pamięci
Typ pamięci::	Nieulotne
Zapas fabryczny::	0
Zapisz czas cyklu - Word, Strona::	8 ms, 2,8 ms

Skontaktuj się teraz

Układy zintegrowane pamięci MT53D512M64D4BP-046 WT ES:E TR

Technologia ::	SDRAM — mobilny LPDDR4
Kategoria produktu ::	Układy scalone pamięci
Typ pamięci::	Lotny
Zapas fabryczny::	0
Zapisz czas cyklu - Word, Strona::	-

Skontaktuj się teraz

Układy zintegrowane pamięci MT53D512M64D4NW-053 WT ES:E TR

Technologia ::	SDRAM — mobilny LPDDR4
Kategoria produktu ::	Układy scalone pamięci
Typ pamięci::	Lotny
Zapas fabryczny::	0
Zapisz czas cyklu - Word, Strona::	-

Skontaktuj się teraz

Układy zintegrowane pamięci MT48LC64M8A2TG-75 IT:C

Technologia ::	SDRAM
Kategoria produktu ::	Układy scalone pamięci
Typ pamięci::	Lotny
Zapas fabryczny::	0
Zapisz czas cyklu - Word, Strona::	15ns

Skontaktuj się teraz

Obwody zintegrowane pamięci MT25TL512BBA8E12-0AAT TR

Technologia ::	BŁYSK - NIE
Kategoria produktu ::	Układy scalone pamięci
Typ pamięci::	Nieulotne
Zapas fabryczny::	0
Zapisz czas cyklu - Word, Strona::	8 ms, 2,8 ms

Skontaktuj się teraz

Układy zintegrowane pamięci MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E TR

Technologia ::	SDRAM — mobilny LPDDR4
Kategoria produktu ::	Układy scalone pamięci
Typ pamięci::	Lotny
Zapas fabryczny::	0
Zapisz czas cyklu - Word, Strona::	-

Skontaktuj się teraz

Obwody zintegrowane pamięci MT48LC8M16A2P-6A:G

Technologia ::	SDRAM
Kategoria produktu ::	Układy scalone pamięci
Typ pamięci::	Lotny
Zapas fabryczny::	0
Zapisz czas cyklu - Word, Strona::	12ns

Skontaktuj się teraz

Obwody zintegrowane pamięci MT29AZ5A3CHHWD-18AIT.84F TR

Technologia ::	FLASH - NAND, mobilny LPDRAM
Kategoria produktu ::	Układy scalone pamięci
Typ pamięci::	Nieulotne
Zapas fabryczny::	0
Zapisz czas cyklu - Word, Strona::	-

Skontaktuj się teraz

Shenzhen Zhongkaixin Micro Electronics Co., Ltd. Produkty

Układy scalone IC

Układy scalone pamięci

Procesory wbudowane

Wbudowane kontrolery

Dyskretne półprzewodniki

Bezprzewodowy moduł radiowy

Składnik obwodu pasywnego

Elementy ochrony obwodów

Złącze wtykowe PCB

Wbudowany moduł Wi-Fi

Elementy optoelektroniki

Czujnik układu scalonego

Obwody zintegrowane pamięci MT53D4DCNZ-DC TR

Obwody zintegrowane pamięci MT48LC4M32LFF5-10 IT:G

Obwody zintegrowane pamięci MT25QU01GBBB8ESF-0AAT TR

Obwody zintegrowane pamięci MT25QU128ABA8ESF-0SIT TR

Obwody zintegrowane pamięci MT48LC4M32LFF5-8:G

Obwody zintegrowane pamięci MT53D4DGSB-DC TR

Obwody zintegrowane pamięci MT48LC64M4A2P-7E:D

Obwody zintegrowane pamięci MT25TL01GBBB8ESF-0AAT TR

Układy zintegrowane pamięci MT53D512M64D4BP-046 WT ES:E TR

Układy zintegrowane pamięci MT53D512M64D4NW-053 WT ES:E TR

Układy zintegrowane pamięci MT48LC64M8A2TG-75 IT:C

Obwody zintegrowane pamięci MT25TL512BBA8E12-0AAT TR

Układy zintegrowane pamięci MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E TR

Obwody zintegrowane pamięci MT48LC8M16A2P-6A:G

Obwody zintegrowane pamięci MT29AZ5A3CHHWD-18AIT.84F TR