Obwody zintegrowane pamięci MT45W1MW16BDGB-708 AT TR
| Technologia :: | PSRAM (Pseudo-SRAM) |
|---|---|
| Kategoria produktu :: | Układy scalone pamięci |
| Typ pamięci:: | Lotny |
| Zapas fabryczny:: | 0 |
| Zapisz czas cyklu - Word, Strona:: | 70ns |
| Technologia :: | PSRAM (Pseudo-SRAM) |
|---|---|
| Kategoria produktu :: | Układy scalone pamięci |
| Typ pamięci:: | Lotny |
| Zapas fabryczny:: | 0 |
| Zapisz czas cyklu - Word, Strona:: | 70ns |
| Technologia :: | BŁYSK - NIE |
|---|---|
| Kategoria produktu :: | Układy scalone pamięci |
| Typ pamięci:: | Nieulotne |
| Zapas fabryczny:: | 0 |
| Zapisz czas cyklu - Word, Strona:: | 100ns |
| Technologia :: | FLASH - NAND |
|---|---|
| Kategoria produktu :: | Układy scalone pamięci |
| Typ pamięci:: | Nieulotne |
| Zapas fabryczny:: | 0 |
| Zapisz czas cyklu - Word, Strona:: | - |
| Technologia :: | PSRAM (Pseudo-SRAM) |
|---|---|
| Kategoria produktu :: | Układy scalone pamięci |
| Typ pamięci:: | Lotny |
| Zapas fabryczny:: | 0 |
| Zapisz czas cyklu - Word, Strona:: | 70ns |
| Technologia :: | BŁYSK - NIE |
|---|---|
| Kategoria produktu :: | Układy scalone pamięci |
| Typ pamięci:: | Nieulotne |
| Zapas fabryczny:: | 0 |
| Zapisz czas cyklu - Word, Strona:: | 100ns |
| Technologia :: | SDRAM — mobilny LPDDR4 |
|---|---|
| Kategoria produktu :: | Układy scalone pamięci |
| Typ pamięci:: | Lotny |
| Zapas fabryczny:: | 0 |
| Zapisz czas cyklu - Word, Strona:: | - |
| Technologia :: | SDRAM — DDR2 |
|---|---|
| Kategoria produktu :: | Układy scalone pamięci |
| Typ pamięci:: | Lotny |
| Zapas fabryczny:: | 0 |
| Zapisz czas cyklu - Word, Strona:: | 15ns |
| Technologia :: | BŁYSK - NIE |
|---|---|
| Kategoria produktu :: | Układy scalone pamięci |
| Typ pamięci:: | Nieulotne |
| Zapas fabryczny:: | 0 |
| Zapisz czas cyklu - Word, Strona:: | 105ns |
| Technologia :: | SDRAM — mobilny LPDDR4 |
|---|---|
| Kategoria produktu :: | Układy scalone pamięci |
| Typ pamięci:: | Lotny |
| Zapas fabryczny:: | 0 |
| Zapisz czas cyklu - Word, Strona:: | - |
| Technologia :: | BŁYSK - NIE |
|---|---|
| Kategoria produktu :: | Układy scalone pamięci |
| Typ pamięci:: | Nieulotne |
| Zapas fabryczny:: | 0 |
| Zapisz czas cyklu - Word, Strona:: | 110ns |
| Technologia :: | BŁYSK - NIE |
|---|---|
| Kategoria produktu :: | Układy scalone pamięci |
| Typ pamięci:: | Nieulotne |
| Zapas fabryczny:: | 0 |
| Zapisz czas cyklu - Word, Strona:: | 100ns |
| Technologia :: | FLASH - NAND |
|---|---|
| Kategoria produktu :: | Układy scalone pamięci |
| Typ pamięci:: | Nieulotne |
| Zapas fabryczny:: | 0 |
| Zapisz czas cyklu - Word, Strona:: | - |
| Technologia :: | SDRAM — mobilny LPDDR4 |
|---|---|
| Kategoria produktu :: | Układy scalone pamięci |
| Typ pamięci:: | Lotny |
| Zapas fabryczny:: | 0 |
| Zapisz czas cyklu - Word, Strona:: | - |
| Technologia :: | FLASH - NAND |
|---|---|
| Kategoria produktu :: | Układy scalone pamięci |
| Typ pamięci:: | Nieulotne |
| Zapas fabryczny:: | 0 |
| Zapisz czas cyklu - Word, Strona:: | 25ns |
| Technologia :: | SDRAM — mobilny LPDDR4 |
|---|---|
| Kategoria produktu :: | Układy scalone pamięci |
| Typ pamięci:: | Lotny |
| Zapas fabryczny:: | 0 |
| Zapisz czas cyklu - Word, Strona:: | - |
