| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET |
|---|---|
| Funkcja FET: | - |
| Vgs(th) (Maks.) @ Id: | 5 V przy 1 mA |
| Temperatura pracy: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Opakowanie / Pudełko: | SOT-227-4, miniBLOK |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET |
|---|---|
| Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs: | 249 nC @ 20 V |
| Status produktu: | Aktywny |
| Vgs(th) (Maks.) @ Id: | 2.7V @ 4,5mA (typ) |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 5280 pF przy 1000 V |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET |
|---|---|
| Funkcja FET: | - |
| Vgs(th) (Maks.) @ Id: | 2,8 V przy 1 mA |
| Temperatura pracy: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Opakowanie / Pudełko: | SOT-227-4, miniBLOK |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET |
|---|---|
| Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs: | 137 nC @ 20 V |
| Status produktu: | Aktywny |
| Rodzaj montażu: | Powierzchnia |
| Pakiet: | Taśma i rolka (TR) Taśma cięcia (CT) Digi-Reel® |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET |
|---|---|
| Funkcja FET: | - |
| Vgs(th) (Maks.) @ Id: | 5 V przy 1 mA |
| Temperatura pracy: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Opakowanie / Pudełko: | TO-247-3 |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET |
|---|---|
| Funkcja FET: | - |
| Vgs(th) (Maks.) @ Id: | 4 V przy 1 mA |
| Temperatura pracy: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Opakowanie / Pudełko: | TO-247-3 |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET |
|---|---|
| Typ FET: | Kanał N |
| Funkcja FET: | - |
| Status produktu: | Aktywny |
| Rodzaj montażu: | Przez dziurę |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET |
|---|---|
| Typ FET: | Kanał N |
| Funkcja FET: | - |
| Status produktu: | Aktywny |
| Rodzaj montażu: | Przez dziurę |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET |
|---|---|
| Typ FET: | Kanał N |
| Funkcja FET: | - |
| Status produktu: | Aktywny |
| Rodzaj montażu: | Powierzchnia |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET |
|---|---|
| Typ FET: | Kanał N |
| Funkcja FET: | - |
| Status produktu: | Aktywny |
| Rodzaj montażu: | Przez dziurę |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET |
|---|---|
| Funkcja FET: | - |
| Status produktu: | Aktywny |
| Rodzaj montażu: | Przez dziurę |
| Vgs(th) (Maks.) @ Id: | - |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET |
|---|---|
| Funkcja FET: | - |
| Status produktu: | Aktywny |
| Rodzaj montażu: | Przez dziurę |
| Vgs(th) (Maks.) @ Id: | 2V @ 500μA |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET |
|---|---|
| Funkcja FET: | Tryb wyczerpania |
| Status produktu: | Aktywny |
| Rodzaj montażu: | Przez dziurę |
| Vgs(th) (Maks.) @ Id: | - |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET |
|---|---|
| Funkcja FET: | - |
| Vgs(th) (Maks.) @ Id: | 5 V przy 5 mA |
| Temperatura pracy: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Opakowanie / Pudełko: | SOT-227-4, miniBLOK |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET |
|---|---|
| Funkcja FET: | - |
| Vgs(th) (Maks.) @ Id: | 4V @ 2,5mA |
| Temperatura pracy: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Opakowanie / Pudełko: | SOT-227-4, miniBLOK |
